半导体二极管

本文介绍二极管的基本概念及其伏安特性,包括开启电压、反向饱和电流等,并深入探讨稳压二极管的工作原理及关键参数。

一、二极管

上一篇博客介绍了有关半导体相关知识:模电——半导体

 将PN结封装,引出两个电机,就构成二极管。

二、二极管伏安特性

          从伏安特性曲线可以看出,二极管两侧在施加正向电压的时候,也不是一开始就导通,而是在电压一定的时候才导通,因为此时,多数载流子的扩散运动要强于少数载流子的漂移运动,才能实现导通。但是添加反向电压时,二极管处于截止状态,也有微小电流,是因为反向电压抑制了多数载流子的扩散运动,而有利于少数载流子的漂移运动,而由于少数载流子数量较少,所以电流也非常小,但不是完全截止。

        开启电压:使得二极管导通的电压称为开启电压。不同材料二极管开启电压各不同的。

        反向饱和电流:全部的少数载流子都参数了漂移运动,当反向电压再增大时,电流就不在变化了。不同材料的反向饱和电流是不同的。

        反向击穿电压:当反向电压达到一定程度时,就会破坏PN结结构,使得原子核失去对外层电子的束缚,从而出现反向击穿。

三、稳压二极管

3.1 伏安特性

        稳压二极管是由一个PN结组成,反向击穿后再一定的电流范围电压基本不变,为稳定电压。

        

 I_{z}:进入稳压区的最小电流。

I_{zm}:稳压区的最大电流。超过这个电流,会反向击穿二极管,造成二极管永久性损坏。

3.2 主要参数

        稳定电压U_{z},稳定电流I_{z}

        最大功耗P_{ZM} = I_{ZM} * U_{Z}

        动态电阻 r_{z} = \frac{\Delta U_{Z}}{\Delta I_{Z}}

总结:二极管分为普通二极管和稳压二极管,两者工作原理各不相同,但都使用了PN结二极管。

内容概要:本文详细记录了对一个Android ARM64静态ELF文件中字符串加密机制的逆向分析过程。该ELF文件的所有字符串均被加密,无法过常规strings命令或IDA直接识别。作者过分析发现,加密字符串存储在.rodata段,其解密所需信息(包括密文地址、长度和16位密钥)保存在.data.rel.ro段的40字节描述符中。核心解密函数sub_10F408采用自反的双pass流密码算法,结合固定密钥KEY_TERM(由.data段24字节数据计算得出),实现字节级非线性、位置与长度相关的加密。文章还复现了完整的Python解密脚本,并揭示了该保护机制的本质为代码混淆而非强加密,最终成功批量解密全部956条字符串,暴露程序真实行为,如shell命令模板、设备标识篡改、网络重置等操作。此外,文中还提及未启用的自定义壳框架及其反dump设计。; 适合人群:具备逆向工程基础的安全研究人员、二进制分析人员及对ELF保护技术感兴趣的开发者。; 使用场景及目标:①学习ELF二进制中字符串加密的典型实现方式与逆向突破口;②掌握从结构识别、函数追踪到算法还原的完整逆向流程;③理解“绑定二进制”的完整性校验设计及其局限性;④实践编写IDAPython脚本自动化提取与解密敏感数据。; 阅读建议:此资源以实战案例驱动,不仅展示技术细节,更强调逆向思维与验证方法,建议读者结合IDA调试环境,逐步跟随文中步骤进行动态分析与算法验证,深入理解每一步的推理依据。
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