非易失性FRAM中的预充电操作

本文深入探讨了铁电随机存取存储器(FRAM)中的预充电过程,解释了预充电在FRAM读写周期中的作用,以及如何确保数据的安全写回。预充电操作在芯片使能信号变为高电平或高位地址位改变时启动,对于防止数据丢失至关重要。

铁电存储器(FRAM)是一种随机存取存储器,是一种特殊工艺的非易失性的存储器,它将DRAM的快速读取和写入访问,它是个人电脑存储中最常用的类型,与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存)结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。

预充电是FRAM的内部条件,在该条件下,存储器被调适以进行新的访问。

FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动:
1.驱动芯片使能信号/CE至高电平
2.更改高位地址位(例如,设备FM28V100的A16-A3)

FRAM中的读取操作具有破坏性,因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后,读取操作必须将极化恢复到其原始状态,这会增加读取操作的周期时间。FRAM的读和写周期需要一个初始的“预充电”时间,这可能会增加初始访问时间。

在这里插入图片描述

图1:FRAM读写周期

启动预充电操作后,需要花费tPC时间才能完成。由于FRAM中读取的破坏性,如果不回写,则会丢失FRAM单元中的数据。预充电操作可确保将数据安全地写回到FRAM单元中。这是通过使用内部缓冲区来实现的。对于每次访问(读/写),FRAM将所需的数据行从存储单元读取到内部缓冲区。数据在读取操作中从内部缓冲区输出,或者在内部缓冲区中进行写操作修改。在预充电操作期间将其写回到FRAM单元。下面以示例说明预充电操作。

考虑一个FRAM,其行大小为8个字节(例如FM28V100)。要从第二个地址位置(0x0002)读取数据,FRAM将从FRAM存储器阵列的第一行读取到内部缓冲区,并从该内部缓冲区的第二个位置输出数据。如果下一次访问是读取地址位置0x0005,则FRAM将从内部缓冲区的第5个位置输出数据,该内部缓冲区已经包含正确的数据,因为存储器行

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下载代码方式:https://pan.quark.cn/s/9de6a9d0b3d8 依据所提供的文件内容,能够推导出此段程序的核心任务在于对一个任意的三位数进行拆解,并且分别呈现该数值的百位、十位及个位部分。随后,我们将对该知识点进行进一步的深入研究。 ### 一、程序功能说明 #### 1. 接收任意一个三位数输入 程序起始阶段运用`scanf`函数来获取用户输入的一个整数。为确保输入内容确实为一个三位数,在实际应用场景中通常需要嵌入验证机制来保障输入的有效性。然而,在本示例情形下,该环节被简化处理,预设用户总会准确输入一个三位数。 #### 2. 实施数字的拆分并提取各位置数值 程序借助一系列数学计算来对三位数进行拆分,将其转化为百位、十位和个位三个独立的构成部分。具体而言,通过除法和取模运算完成了这一过程。 #### 3. 展示各位置上的数值 程序运用`printf`函数来输出原始数值以及各个位上的数值。需要留意的是,代码中的输出部分似乎存在一些混淆,存在语法上的错误,例如多余的`printf`语句和乱码字符等问题。 ### 二、核心代码分析 #### 1. 数字拆分逻辑 ```c a[0] = n / 1000; // 提取千位数,但鉴于题目要求是三位数,此处应为百位数 a[1] = n % 1000 / 100; // 提取百位数 a[2] = n % 1000 % 100 / 10; // 提取十位数 a[3] = n % 1000 % 100 % 10; // 提取个位数 ``` 这段代码通过一连串的除法和取模运算,成功地将输入的数字n拆分为百位、十位和个位三个独立的构成部分,...
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