13、激光剥离技术制备氮化镓发光二极管

激光剥离技术制备氮化镓发光二极管

1. 氮化镓激光剥离的前期研究

1.1 表面形貌与气压条件

在不同气压条件下处理氮化镓（GaN）样品，其表面形貌会有所不同。在大气压条件下处理的样品，表面形貌的均方根值（RMS）约为 4 - 14 纳米；而在低压条件下处理的样品，RMS 约为 30 - 36 纳米。这表明大气压条件下 GaN 材料分解后的表面形貌相对更好，因此后续的 GaN 激光剥离（LLO）过程是在大气环境中进行的。

1.2 激光相互作用的热模型

1.2.1 温度上升的确定

使用一维热流方程来确定受辐照 GaN 薄膜的温度上升。相关公式如下：
- 入射激光在深度 $z$ 和时间 $t$ 处的功率密度 $I(z,t)$ 为：
[I(z,t) = (1 - R)I_0(t)e^{-\alpha z}]
其中，$T$、$\rho$、$C_p$、$k$ 和 $\alpha$ 分别是 GaN 的温度、密度、比热容、热导率和光吸收系数。假设薄膜是均匀吸收介质，入射功率密度可表示为：
[(T(z,t) = \sum_{n = -\infty}^{\infty}(1 - R)\frac{I_0(t)}{K}\left[\text{ierfc}\left(\frac{z - nL}{2\sqrt{Kt}}\right)\right]]
为了方便表示，引入扩散长度 $\xi = \sqrt{2Kt}$。对于均匀表面源的入射功率密度，有：
[(T(t) = \frac{(1 - R)I_0(t)}{\sqrt{\pi K\xi}}]

1.2.2 模拟结果