InGaAs/InAlAs HBTs:高速混合信号与毫米波集成电路的关键技术
在现代电子技术领域,高速集成电路的需求日益增长,而异质结双极晶体管(HBT)作为其中的关键组件,其性能的提升对于实现高速、高效的电路至关重要。本文将深入探讨InGaAs/InAlAs HBTs在高速混合信号和毫米波集成电路中的设计、数字延迟分析以及高速逻辑缩放等方面的内容。
1. 高fmax HBT设计
为了同时获得高的fT和fmax值,需要对发射极和集电极的条带宽度进行缩放。以下是一些降低寄生外集电极 - 基极结电容的方法:
- 衬底转移工艺 :这是一种激进的方法,可显著减少寄生外集电极 - 基极结,但需要大幅偏离典型的制造工艺。
- 替代方法 :
- 深质子注入 :对于GaAs/AlGaAs HBTs,深质子注入可降低外集电极电容。
- 选择性湿法化学蚀刻 :通过选择性湿法化学蚀刻可对外部集电极结进行底切。
- 介电间隔层 :使用介电间隔层可降低基极接触垫下方的集电极电容。
- 再生长 :在基极接触沉积之前,在暴露的基极表面再生长厚的外部P + 接触区域,可降低Rbb。
- 减小基极欧姆接触尺寸 :在台面HBT中,减小基极欧姆接触的尺寸可获得低的RbbCcbi。
通过MBE生长InGaAs基极层,使用CBr4掺杂源实现> 1020/cm3的碳(P型)掺杂,可大大降
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