电子技术——CMOS反相器-CSDN博客

CMOS反相器由NMOS和PMOS组成，工作时作为驱动源和负载。在不同输入电压下，MOSFETs的电流-电压特性决定了输出电压和静态功率。当输入为VDD时，输出为0V，反之当输入为0V时，输出为VDD。电压传导特性曲线显示了输入电压与输出电压的关系，对称的设计提供了宽的噪声容限和高的驱动能力。不完全匹配的MOSFETs会影响中点电压VM，但可以通过调整器件参数优化性能。

电子技术——CMOS反相器

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在本节，我们深入学习CMOS反相器。

电路原理

下图是我们要研究的CMOS反相器的原理图：

CMOS反相器
下图展示了当输入 $v_I = V_{DD}$ 时的 $i_D-v_{DS}$ 曲线：

CMOS反相器曲线
我们把 $Q_N$ 当做是驱动源，而 $Q_P$ 作为负载，我们在图像上叠加关于 $Q_P$ 在 $v_{SGP} = 0$ 的负载曲线。因为 $v_{SGP} < |V_t|$ 因此负载曲线是一条零电流的水平直线。两个曲线的交点就是我们的工作点，我们发现此时电流为零，输出电压为零。同样意味着此时耗散功率为零。然而，工作点处在曲线 $i_D-v_{DS}$ 的上升处，具有有限的斜率，因此 $Q_N$ 对外表现出有限的阻抗，如图©：

$r_{DSN} = 1 / [k_n'(\frac{W}{L})_n (V_{DD} - V_{tn})]$

另外一种情况，当输入 $v_I = 0$ 的时候，如图：

CMOS反相器曲线
因为 $v_{GSN} = 0$ 此时驱动曲线是一条零电流的直线，此时负载曲线是 $v_{SGP} = V_{DD}$ 的曲线。我们发现，此时交点在零电流，输出电压为 $v_O = V_{DD}$ 。耗散功率为零。同样的， $Q_P$ 表现出有限的阻抗：

$r_{DSP} = 1 / [k_p' (\frac{W}{L})_p (V_{DD} - |V_{tp}|)]$

虽然，静态电流为零，这种CMOS反相器可以提供较大的负载能力。例如，负载是容性负载的时候，当 $Q_N$ 导通的时候，由于其较小的开关阻抗，可以提供一个较短的对地回路，可以使得容性负载迅速泄放电荷，拉低电位，因此 $Q_N$ 称为下拉元件。同样的，当 $Q_P$ 导通的时候，由于其较小的开关阻抗，可以提供一个较短的对电压通路，可以使得容性负载迅速充满电荷，拉高电位，因此 $Q_P$ 称为上拉元件。

根据上面的讨论CMOS反相器作为理想的反相器：

输出电压的范围在 $0-V_{DD}$ 电压压摆达到最大。同时，两个MOS可以进行匹配使得提供一个对称的电压传导特性，具有较宽的噪声容限。
静态功率为零，这是因为电压源和地直接没有直接的DC回路。
对地和电压都是低阻抗路径，较低的输出阻抗使得反相器具有较高的驱动能力，以及实现电气功能与元件参数无关，提高噪声和其他干扰的容忍性。
上拉的下拉元件使得电路的翻转速度更快，对于容性负载具有较高的驱动能力。
输入阻抗为无穷大。所以CMOS反相器可以驱动大量同样的CMOS反相器而不造成电压水平损失。当然，增加被驱动元件的数量就意味着增加了容性负载，这会降低电平的翻转速度。