ASMLのEUV覇権に、Canonは“ハンコ”で挑む

香川友志

2026年6月29日 17:05

ナノインプリント・リソグラフィは半導体製造を変えるのか

最先端チップの本当の支配者は、チップメーカーではなく「装置メーカー」かもしれません。

その王者が、オランダのASMLです。AIチップに不可欠なEUV露光装置を、世界で唯一、量産供給できる会社。2025年の売上は327億ユーロ。EUVだけでなくDUV、計測・検査装置まで押さえ、半導体産業の“関所”になっています。

しかし、かつてこの露光装置市場を握っていたのは、日本のCanonとNikonでした。

そのCanonがいま、ASMLと同じEUVを追うのではなく、まったく違う原理で再挑戦しています。

光で「焼き付ける」のではなく、ハンコのように「押し付けて転写する」。
それが、ナノインプリント・リソグラフィ、NILです。

NILはASMLのEUVを倒せるのか。
EUVより微細化を進められるのか。
Canon、DNP、富士フイルム、キオクシアの日本連合に勝ち筋はあるのか。
そしてNikonは、EUVではない領域でどこを狙っているのか。

この記事では、ASML・Canon・Nikonの三つ巴を、技術、歴史、産業構造、地政学から整理します。

この記事で分かること

ASMLがなぜEUV露光装置で世界王者になったのか
CanonとNikonが、かつて半導体露光装置でどれほど強かったのか
CanonのNIL、ナノインプリント・リソグラフィとは何か
NILがEUVを本当に置き換えるのか、それとも補完技術なのか
DNP、富士フイルム、キオクシアを含む日本連合の意味
NikonがEUVではなくArF液浸、DUV、後工程、先端パッケージングへ向かう理由
中国PrinanoのNIL参入が示す、EUV迂回ルートとしてのNILの可能性

3分で分かる結論

ASMLのEUVは、現在の最先端半導体製造における王道です。TSMC、Samsung、Intel、SK hynix、Micronなどの先端プロセスは、ASMLのEUVを前提に設計されています。特にHigh-NA EUVは、sub-2nmロジックや先端DRAMへ向かう次の本命技術です。

一方、CanonのNILは、EUVを正面からコピーする技術ではありません。巨大な光源と反射光学系を使うEUVに対して、NILはテンプレートをウェハ上のレジストへ直接押し当て、回路パターンを転写する技術です。いわば、超精密な“ハンコ”です。

NILの強みは、低消費電力、低コスト化、3D形状の一括形成、そして光の波長制約から離れられることです。CanonはFPA-1200NZ2Cで14nm線幅、5nmノード相当を示し、将来は10nm線幅、2nmノード相当も視野に入ると説明しています。DNPは10nm線幅のNILテンプレートを開発し、1.4nm世代相当を視野に入れるとしています。

ただし、NILには大きな壁もあります。欠陥、オーバーレイ、テンプレート寿命、スループット、量産歩留まりです。特に最先端ロジックの全面置換は、現時点では現実的ではありません。Canon自身も、2027年の量産採用を目指す評価・検証段階であり、量産採用が確定したわけではありません。

したがって結論は、こうです。

ASMLのEUVは現在の王者。CanonのNILは、EUVをすぐ倒す技術ではなく、EUV依存を崩す“別ルート”です。

最初に勝負になるのは、最先端ロジックの全面置換ではなく、メモリ、3D構造、先端パッケージング、フォトニクス、特殊デバイス、そしてEUV工程の一部代替でしょう。

露光装置とは何か――半導体は「描く」のではなく「焼き付ける」
ASMLの創業――雨漏りする小屋から始まった世界王者
ASMLのブレイク技術①――TWINSCANという「二枚同時処理」の発明
ASMLのブレイク技術②――ArF液浸で日本勢を突き放す
ASMLのブレイク技術③――EUVで“唯一の会社”になる
High-NA EUV――ASMLはさらに先へ行く
日本の栄光――CanonとNikonは、かつて露光装置の王者だった
なぜ日本勢はASMLに逆転されたのか
Canonの逆襲――EUVを追わず、NILという別ルートへ
FPA-1200NZ2C――Canonが商用化したNIL装置
NILはどこまで進んでいるのか――2027年が最初の山場
DNPの10nmテンプレート――NILはCanon単独では成立しない
キオクシアとNIL――最初に勝つのはロジックではなくメモリかもしれない
NILの強み――光の限界から離れられる
NILの弱点――ハンコだからこそ難しい
では、Canon NILはASML EUVを置き換えるのか
NILはどこまで微細化できるのか――EUVより“先”へ行けるのか
Nikonはどこへ向かうのか――EUVではなくArF・後工程・汎用／実装へ
Canon、Nikon、ASMLの現在地
Canon NILが世界を狙うための条件
EUV覇権の裏側――ASMLも万能ではない
半導体製造は「前工程だけ」の時代ではなくなる
日本にとってCanon NILが重要な理由
記事の核心――CanonはEUVを倒すのではなく、EUV依存を崩す
最終結論――ASMLは現在の王者、Canon NILは次世代の“別解”
追記：中国もNILに動く――Canonだけの物語ではない

1｜露光装置とは何か――半導体は「描く」のではなく「焼き付ける」

半導体製造では、シリコンウェハの上に何十層、時には百層を超える回路構造を作ります。そのためには、回路パターンをウェハ上の感光材料、レジストに転写する必要があります。この工程がリソグラフィ、つまり露光です。

従来の露光装置は、写真の焼き付けに近い思想です。
マスクに描かれた回路パターンを、光学系を使ってウェハ上へ縮小投影する。光を当てた部分と当てていない部分でレジストの性質が変わり、その後の現像・エッチング・成膜によって回路が形成されます。

この「光で描く」技術の極限にあるのが、ASMLのEUVです。

EUVは13.5nmという非常に短い波長の光を使います。人間の髪の毛はおよそ8万〜10万nm程度とされますから、13.5nmという光は、通常の光学技術とは桁違いに短い波長です。

しかし、この技術は非常に複雑です。
EUV光は空気にも吸収されやすく、レンズも通過できません。そのため、装置内部は真空に近い環境で、特殊な反射ミラーを使って光を導きます。光源、ミラー、ステージ、マスク、レジスト、計測、補正ソフト、温度制御、振動制御、汚染制御。そのすべてが、ナノメートル単位で噛み合わなければなりません。

露光装置とは、単なる「機械」ではありません。
それは、光学、精密機械、材料、プラズマ、制御ソフト、計測、化学、サプライチェーンを統合した、現代産業で最も複雑なシステムの一つです。

2｜ASMLの創業――雨漏りする小屋から始まった世界王者

ASMLの物語は、意外なほど小さく始まりました。

ASMLは1984年、オランダのPhilipsと、半導体製造装置メーカーASM International、ASMIによって設立されました。当初の社名はASM Lithography。設立場所は、オランダ・アイントホーフェンのPhilips施設近くにあった“雨漏りする小屋”のような場所だったと、ASML自身の公式史にも書かれています。

最初の製品はPAS 2000ステッパーでした。しかし、ASMLは創業直後から順風満帆だったわけではありません。日本勢と米国勢が強い市場で、無名のオランダ企業が入り込む余地は小さかった。ASMIは投資を続けられず、Philipsもコスト削減に動いていました。ASMLは一時、会社存続の危機にありました。

転機は1990年代です。

ASMLはPAS 5500というプラットフォームを投入します。PAS 5500は、同社に主要顧客をもたらし、黒字化への第一歩になったブレイクスルー・プラットフォームでした。1995年にはアムステルダムとニューヨークで上場し、Philipsは持ち株を段階的に売却しました。

ASMLがすごかったのは、自社ですべてを作ろうとしなかった点です。

日本のNikonやCanonは、光学・精密機械を自社内で磨き込む垂直統合の色が強い企業でした。一方、ASMLは、Zeissの光学、Cymerの光源、Brionの計算リソグラフィ、HMIの計測、顧客であるTSMC・Intel・Samsungとの共同開発をつなぎ合わせ、世界中の専門企業を束ねる“システム統合企業”になりました。

これが、後のEUV時代に決定的な差になります。

3｜ASMLのブレイク技術①――TWINSCANという「二枚同時処理」の発明

ASMLが日本勢を本格的に抜き始めた技術の一つが、2001年に登場したTWINSCANです。

TWINSCANの思想はシンプルですが、極めて強力でした。
1枚のウェハを露光している間に、次のウェハを別ステージで測定・位置合わせしておく。つまり、露光と計測を並列化し、装置全体の生産性を高めるという発想です。

半導体製造では、装置の解像度だけでなく、1時間に何枚のウェハを処理できるかが重要です。どれほど高精度でも、処理枚数が少なければ量産には使いにくい。TWINSCANは、精度とスループットを同時に上げる仕組みでした。

この「装置の中で並列処理する」という思想は、単なる機械設計ではありません。
半導体ファブの経済性そのものを変える技術です。

ASMLはここから、単に細かく描ける会社ではなく、「量産で勝てる露光装置」を作る会社になっていきました。

4｜ASMLのブレイク技術②――ArF液浸で日本勢を突き放す

次のブレイクが、ArF液浸露光です。

ArF露光は193nmの波長を使うDUV、深紫外線露光の一種です。液浸露光では、レンズとウェハの間に水を入れることで、実効的な開口数、NAを上げ、より微細なパターンを描けるようにします。

ASMLは2003年に最初の液浸機TWINSCAN AT:1150iを投入し、2006年には量産向けXT:1700i、2007年にはNA 1.35のXT:1900iを出荷しました。

ここで重要なのは、液浸技術そのものだけではありません。

NikonもArF液浸で高い技術力を持っていました。Nikonは2005年、NA 1.07のArF液浸スキャナーNSR-S609Bを投入し、同社の公式史では「世界初のNA 1.0超え量産用ArF液浸スキャナー」とされています。

それでも市場ではASMLが勝ちました。
なぜか。

理由は、ASMLが装置単体ではなく、顧客の量産工程全体に入り込んだからです。TWINSCAN、計測、補正、設計最適化、サービス、顧客との共同開発。それらを束ねた「Holistic Lithography」によって、ASMLは装置を売る企業から、顧客の歩留まりと生産性を共同で作る企業へ変化しました。

露光装置の勝負は、「最高のレンズ」だけでは決まらなくなった。
「ファブ全体の生産性を最適化できるか」が勝負になったのです。

5｜ASMLのブレイク技術③――EUVで“唯一の会社”になる

ASMLの決定的勝利はEUVです。

EUVは、従来のArF液浸の193nmよりはるかに短い13.5nmの光を使います。ASMLは2010年に最初のEUVプロトタイプNXE:3100を顧客研究施設へ出荷し、2013年にEUV光源メーカーCymerを買収しました。Cymer買収は、EUV開発を加速するための大きな一手でした。

2016年には、顧客が量産対応のNXE:3400を一括発注する段階に入り、EUVが量産技術として本格的に使われる流れが見えてきます。

ここでASMLは、単なる露光装置メーカーではなくなりました。

EUVは、装置1台で完結する技術ではありません。
スズ液滴にCO₂レーザーを当てる光源、真空チャンバー、反射ミラー、マスク、ペリクル、レジスト、計測、補正、温度制御、ステージ、ソフトウェア、顧客プロセス。これらすべてを同時に完成させなければ量産には使えません。

この独占性が、ASMLを世界の地政学の中心に押し上げました。
最先端AIチップを作るにはEUVが必要です。EUVを買える国と買えない国では、半導体の世代が変わります。ASMLは、単なる欧州企業ではなく、米中半導体戦争の最重要ノードになったのです。

6｜High-NA EUV――ASMLはさらに先へ行く

ASMLはEUVで止まりません。次の柱がHigh-NA EUVです。

従来のEUV、いわゆるLow-NA EUVはNA 0.33です。High-NA EUVではNAを0.55へ引き上げます。ASMLのTWINSCAN EXE:5200Bは、0.55 NAの第2世代High-NA EUV装置であり、EXE:5000の後継機です。ASMLはこの装置を、sub-2nmロジックノードと先端DRAMノードの量産を支える装置と位置づけています。波長は13.5nmのままですが、8nm解像度、NXE系に比べて40％高いイメージングコントラスト、1.7倍小さい特徴寸法、2.9倍高いトランジスタ密度を狙えると説明されています。

ここで重要なのは、High-NA EUVには2段階あることです。第1世代のEXE:5000は、先端顧客や研究機関がプロセス開発に使う先行機です。第2世代のEXE:5200Bは、量産を意識した後継機で、ASML公式資料では「オーバーレイ改善と生産性向上を組み合わせた装置」とされています。ASMLは2026年1月の決算説明で、High-NAシステムを累計8台供給しており（第1世代のEXE:5000が6台、第2世代のEXE:5200Bが2台）、最初の第2世代High-NA機であるEXE:5200Bが顧客サイトでフル仕様を満たしたと説明しました。2025年末までに、顧客はHigh-NA機で累計40万枚を超えるウェハを処理しています。同時に、High-NA EUVは2026年末までに高量産要件を満たし、顧客側での本格挿入は2027〜2028年を想定するとしています。

つまりHigh-NA EUVは、すでに研究室だけの技術ではありません。ただし、2026年時点では、世界中の量産ファブに広く普及した通常装置でもありません。Intel、Samsung、SK hynix、TSMC、imecなどの動きが報じられていますが、各社で採用時期と使い方には差があります。IntelやSamsungは比較的早い採用を狙い、TSMCはA14世代では当面Low-NA EUVと多重露光を活用し、High-NAの本格導入を慎重に見ていると報じられています。imecも2026年3月にEXE:5200を受け取り、2026年第4四半期のフル・クオリフィケーションを目指すと発表しています。これは、High-NA EUVが「量産に向かう準備段階」へ入ったことを示す一方で、2026年時点ではまだプロセス開発・顧客評価の色が濃いことも示しています。

ここに、Canon NILのチャンスが生まれます。

ASMLのEUVは圧倒的に強い。
しかし、高すぎる。複雑すぎる。供給制約がある。地政学リスクもある。

では、別の道はないのか。

この問いに対して、CanonはEUVをまねるのではなく、まったく違う原理で答えようとしています。

7｜日本の栄光――CanonとNikonは、かつて露光装置の王者だった

ここで、日本勢の歴史を振り返る必要があります。

CanonとNikonは、もともとカメラや光学機器の会社です。露光装置は、まさに日本の得意分野でした。高精度レンズ、精密機械、位置合わせ、振動制御、クリーンな組み立て。これらは、日本のものづくりが強かった領域です。

Canonは1970年、日本製初の半導体露光装置PPC-1を投入しました。1969年に等倍露光方式の特許を出願し、それが日本製初の半導体露光装置PPC-1につながりました。

1975年にはFPA-141Fを開発しました。Canon公式の50周年史では、FPA-141Fは世界初のサブミクロン露光装置であり、世界初のステッパーでもあったとされています。

1978年にはPLA-500FAを投入します。これは世界初のオートアライメント機構を備えた近接露光装置で、5年間で1,000台を出荷するベストセラーとなりました。この製品以降、レーザーを使ったオートアライメントが半導体露光装置の業界標準になりました。

1984年にはFPA-1500FAを投入し、1.0μm解像度で1M DRAM製造を支えました。1980年代後半にCanonはDRAM製造で大きな役割を果たし、国内シェア約50％に達したとされています。

Nikonもまた、露光装置の巨人でした。

Nikonは1976年、超LSI技術研究組合の委託を受けてSR-1の開発を開始し、1978年に完成。1980年には日本初のステッパーNSR-1010Gを発表・出荷しました。NSR-1010Gは解像度1.0μmで、日本初のステッパーとされています。

1984年には、世界初のi線ステッパーNSR-1010i2を投入。1988年には、世界初のエキシマステッパーNSR-1505EXを出荷。1995年には、世界初のスキャナーNSR-S201Aを投入しました。

この時代、日本勢は本当に強かった。

Canonはサブミクロン露光、オートアライメント、DRAM量産。
Nikonはステッパー、i線、エキシマ、スキャナー、ArF液浸。
1980年代から1990年代、日本の光学・精密機械は、世界の半導体微細化を支える中心にいました。

8｜なぜ日本勢はASMLに逆転されたのか

では、なぜCanonとNikonはASMLに逆転されたのでしょうか。

単純に「技術で負けた」とは言えません。
NikonのArF液浸技術は高く、Canonも光学・アライメント・FPD露光で強みを持っていました。

しかし、露光装置の競争軸が変わりました。

1980年代から1990年代は、レンズ、ステージ、アライメントなど、装置単体の精度が競争の中心でした。この時代、日本企業の垂直統合型ものづくりは非常に強かった。

ところが2000年代以降、競争は「装置単体」から「ファブ全体の最適化」へ移ります。ASMLは、Zeiss、Cymer、Brion、HMI、顧客ファブ、材料メーカー、設計ツール企業を巻き込み、巨大な共同開発ネットワークを作りました。

ここでASMLは、露光装置の会社ではなく、半導体製造プロセス全体の“司令塔”になっていきました。

さらに、EUVという技術は、単独企業では開発できないほど巨大でした。
光源はCymer、レンズはZeiss、研究開発はimecや顧客企業、資本支援はIntel、TSMC、Samsung。ASMLは世界の力を束ねました。

日本企業は、強い自社技術を持っていました。
しかし、EUVのような超巨大システムでは、強い自社技術だけでは足りませんでした。

勝負を分けたのは、技術そのものだけではなく、産業アーキテクチャでした。

ASMLは、世界を組み合わせた。
日本勢は、自社で磨き込んだ。

この差が、EUV時代に決定的になったのです。

9｜Canonの逆襲――EUVを追わず、NILという別ルートへ

CanonはEUVの正面競争に戻ろうとしているわけではありません。

Canonが選んだのは、NIL、ナノインプリント・リソグラフィです。

NILは、従来のフォトリソグラフィとは根本的に違います。
EUVやDUVは、マスク上の回路パターンを光学系でウェハへ投影します。NILは、回路パターンを刻んだマスク、テンプレートを、レジストを塗ったウェハへ直接押し当てます。

この技術は、まさに“ハンコ”です。

ただし、普通のハンコではありません。
ナノメートル単位の構造を刻んだ、超精密なハンコです。

Canonは2004年からNIL研究を始め、2009年から米国Molecular Imprintsと大手半導体メーカーとの共同開発を進めました。2014年にはMolecular Imprintsを完全子会社化し、次世代露光装置の早期商用化を狙いました。

つまり、CanonのNILは、突然出てきた技術ではありません。
20年以上の研究開発と、米国NIL企業の買収、半導体メーカーとの共同開発の上にある技術です。

10｜FPA-1200NZ2C――Canonが商用化したNIL装置

Canonは2023年10月、NIL装置「FPA-1200NZ2C」を発売しました。この装置は半導体製造向けNILシステムとして、回路パターン転写を行う装置です。

FPA-1200NZ2Cの仕様は、300mmウェハ対応、26×33mmフィールド、6インチマスク、オーバーレイ精度4nm以下です。Canonは、この装置で複雑な2D・3D回路パターンを1回のインプリントで形成でき、コスト・オブ・オーナーシップの低減につながる可能性があると説明しています。

さらに重要なのは、解像度です。

Canonは、NIL技術により14nmの最小線幅を実現でき、これは5nmノード相当だと説明しています。さらにマスク技術の改善により、10nm線幅、2nmノード相当の回路パターニングも期待できるとしています。

ただし、この「5nmノード相当」「2nmノード相当」という言い方は、注意して読む必要があります。現代の半導体ノード名は、物理的なゲート長や配線幅そのものではありません。企業ごとのマーケティング名・世代名の意味が強く、TSMCのN2、Intel 18A、Samsung 2nm、DNPが言う1.4nm世代相当、Canonが言う2nmノード相当は、完全に同じ物理寸法を指すわけではありません。したがって記事では、「CanonやDNPがそう位置づけている」と書き、量産ロジックでそのまま使えると断定しない方が正確です。

また、NILは特殊波長の光源を必要としません。Canonは、複雑な2次元・3次元の回路パターンを一度に形成できるため、既存の先端ロジック向け露光技術と比べて、消費電力を大きく削減できると説明しています。DNPも、ArF液浸やEUVなど現在利用可能な露光プロセスと比べて、NILにより露光工程の消費電力を約10分の1に抑えられる可能性を示しています。

これは非常に重要です。

EUVは巨大な光源と真空・ミラー・制御システムを必要とします。High-NA EUVは1台約3億8000万〜4億ドル級と報じられるほど高価です。
一方、NILは光源と巨大光学系を不要にすることで、低コスト・低消費電力・小型化の可能性を持ちます。

価格差についても、Canonの御手洗冨士夫氏が、NIL装置はASMLのEUV装置より「一桁安い」水準になり得ると語ったことが報じられています。ただし、最終的な量産コストは装置価格だけでは決まりません。テンプレートの製造・検査・寿命、欠陥密度、スループット、メンテナンス、歩留まりまで含めたCoOで比較する必要があります。

Canonの狙いは、EUVと同じ土俵で同じ技術を作ることではありません。
露光装置の原理そのものを変えることです。

この位置づけは、Canonの中期経営でも重要になっています。Canonは2026年からPhase VIIを開始し、「生産性の革新による新たな成長」を掲げています。その文脈でNILは、微細化と省エネを同時に実現し得る次世代技術として扱われています。つまりNILは、単なる研究テーマではなく、Canonが2030年へ向けた成長ストーリーの中で前面に出し始めた技術でもあります。

11｜NILはどこまで進んでいるのか――2027年が最初の山場

CanonのNILは、研究室の夢ではなく、すでに顧客評価段階へ入っています。

Canonは2024年、FPA-1200NZ2Cを米国Texas Institute for Electronics、TIEへ出荷すると発表しました。TIEはテキサス大学オースティン校に支援された半導体コンソーシアムで、先端半導体の研究開発やプロトタイプ生産に使われるとされています。Canonは、FPA-1200NZ2Cを世界で初めて商用化した半導体製造向けNILシステムと位置づけています。

さらに2026年第1四半期決算説明資料では、CanonはNILについて、主要な半導体メーカーへ納入したシステムが基本性能検証を通過し、実際の生産を想定した評価・検証フェーズに入ったと説明しています。Canonは、2027年の量産採用に向けて順調に進んでいるとも述べています。

ここで大切なのは、「量産採用が確定した」ではなく、「量産採用を想定した評価・検証フェーズに入った」という表現です。現時点で、TSMCやSamsungの最先端ロジック量産ラインにNILが公式採用されたわけではありません。したがって、記事では「2027年が最初の山場」と書くのが正確です。

NILの現実的な入り口は、最もクリティカルなロジック層の全面置換ではなく、まずはメモリや比較的繰り返しパターンの多い層、3D構造、特殊デバイス、先端パッケージング、あるいはEUVを使うほどではないが高精度が必要な工程です。EUVは非常に高価なため、顧客は「本当にEUVが必要な層」と「別の技術で代替できる層」を分けたい。NILは、その使い分けの中で存在感を出す技術です。

2027年に、どの用途で、どの顧客が、どの工程に採用するのか。
これがCanon NILの最初の大きな分岐点になります。

NILを試験・評価している主な企業・組織

NILは、すでに複数の企業・組織が実機で評価しています。現時点で公表ベースで確認できる主な顔ぶれは、次のとおりです。

キオクシア（日本）：NILを数年にわたり評価してきたメモリ最有力パートナー。3D NAND向けにプロトタイプ生産での適用を評価し、量産ラインでの使用も視野に入れているとされます。
マイクロン（米国）：報道・業界分析では、Canon NILの評価ユーザー候補として名前が挙がります。ただし、量産採用を公式発表したわけではありません。
Texas Institute for Electronics／TIE（米国・テキサス大学オースティン校）：世界初の商用機FPA-1200NZ2Cを2024年に受領した半導体コンソーシアム。Canonは、TIEで先端半導体の研究開発やプロトタイプ生産に使われると説明しています。
TSMC・Samsung（台湾・韓国）：NILへの関心を示していると報じられていますが、最先端ロジックの量産ラインへの公式採用には至っておらず、当面はEUV主体です。NILは「EUV工程の一部を肩代わりする補完技術」という位置づけです。
Rapidus（日本）：Canon NILの直接評価主体としての公表はありません。ただし、日本の先端半導体エコシステムという文脈では、装置・材料・マスク・プロセス技術の国産連携を考える上で周辺プレイヤーとして意識されます。

そして、これらを支える日本のエコシステムが、Canon（装置）、DNP（テンプレート）、富士フイルム（レジスト）です。装置・原版・材料・メモリ評価ユーザーが日本企業でそろっている点は、NIL固有の強みです。

ただし、率直な但し書きも必要です。キオクシアやマイクロンは、SPIEなどの学会で「欠陥がNIL最大の弱点」「電子ビームで原版を描くため、20nm以下の微細形状ではマスクの粗さが問題になり、SADP（ピッチ分割）が必要になる」といった課題を繰り返し報告しています。評価は進んでいますが、最先端ロジックの量産にNILを正式採用すると表明した大手ファウンドリは、まだ一社もありません。これが、2027年を「最初の山場」と書く理由です。

キオクシア・マイクロンがSPIEで報告した「具体的な弱点」

では、具体的に何が課題なのでしょうか。キオクシアがSPIE Advanced Lithography + Patterning（2019〜2024年）で繰り返し報告してきた内容を、もう少し踏み込んで見てみます。

(1) 欠陥の種類

キオクシアは、Canonの実機（FPA-1100NZ2など）でNILの欠陥を分類・評価してきました。NIL特有の主な欠陥は、次のようなものです。

非充填欠陥（non-filling）：テンプレートの凹部にレジストが回りきらず、パターンが埋まらない
プラグ欠陥（plug）：本来空くべき部分に余分な樹脂が残る
パターン倒れ（line collapse）：細いライン状のパターンが、転写・剥離のときに倒れる
複製テンプレート由来の欠陥：原版から作った複製テンプレートが持ち込む欠陥

キオクシアの結論は一貫しています。「欠陥こそがNIL最大の課題であり、欠陥低減が量産適用の鍵だ」というものです。NILは光を当てるのではなく物理的に押し当てるため、たった一つの異物や転写ミスが、そのまま欠陥になります。

(2) マスクの粗さと「20nm以下の壁」

NILの解像度はテンプレート次第ですが、そのテンプレートは電子ビームで描くため、線のふち（エッジ）にどうしても粗さ（ラインエッジラフネス、LER）が残ります。この粗さは、配線のショートやリーク、性能ばらつきの原因になります。キオクシア・マイクロンは、20nmを下回る微細形状では、この原版の粗さが効いてくるため、一発で描かずにSADP（自己整合ダブルパターニング、ピッチ分割）で作る必要がある、と報告しています。つまり、原理上は光の波長に縛られないNILも、実際には「テンプレートの粗さ」という別の解像度の壁を持つということです。

(3) 3D構造での具体的な壁

キオクシアは、3D NAND向けにNILでデュアルダマシン構造（穴と溝を同時に作る配線構造）を形成する研究を、SPIE 2023で報告しています。NILで3D形状を少ない工程で作れるのは魅力ですが、実際には、穴と溝を同時にエッチングするときの寸法ずれ（CDシフト）、エッチング中にマスクが削れてしまう問題、そして厚いレジストを使うとNIL欠陥が増える問題が確認されました。キオクシアは、エッチング耐性の高いレジストを使うなどして改善を進めていますが、これらは一朝一夕には片づかない課題です。

(4) オーバーレイ（重ね合わせ）

キオクシアはSPIE 2022で、下地の層との位置合わせ精度（アライメント）の評価も報告しています。NILで安定した位置合わせを得るには、アライメントマークの設計ルールや、ウェハの凹凸を考慮したパターン被覆率のルールといった、専用の設計上の工夫が必要になります。これは、光学露光なら当たり前にできていた多層の位置合わせが、NILでは作り込みを要する、ということでもあります。

要するに、キオクシアやマイクロンは「NILに最も期待している側」でありながら、学会では毎回ほぼ同じ弱点――欠陥、マスクの粗さ、3D工程の寸法制御、オーバーレイ――を報告し続けています。彼らがNILで量産したいと本気で思っているからこそ、この率直な課題報告には重みがあります。なお、キオクシアはこうした課題と並行して、2019年にはハーフピッチ14nmの直接パターニングに成功するなど、前進も着実に積み重ねています。Canonの2027年は、これらの弱点をどこまで潰せるかにかかっています。

12｜DNPの10nmテンプレート――NILはCanon単独では成立しない

NILで最も重要なのは、Canonの装置だけではありません。

鍵を握るのは、テンプレートです。

NILはハンコの技術です。
したがって、ハンコの原版、つまりテンプレートが高精度でなければ、どれだけ装置が良くても微細パターンは転写できません。

ここで重要なのがDNP、大日本印刷です。

DNPは2025年12月、回路線幅10nmのNILテンプレートを開発したと発表しました。DNPによれば、このテンプレートはEUV露光工程の一部を置き換え、EUV生産プロセスを持たない顧客にも先端ロジック半導体製造の選択肢を広げる可能性があります。DNPは、2027年の量産開始を目指し、2030年度にNIL関連売上40億円を目標にするとしています。

DNPは、電子ビーム描画で作ったパターンにSADP、自己整合ダブルパターニングを使い、パターン密度を高めたと説明しています。さらに、フォトマスク製造技術に加え、ウェハ製造プロセス技術も応用して10nm線幅のテンプレートを開発したとしています。DNPは、NILにより露光工程の電力消費をArF液浸やEUVなど現在利用可能な露光プロセスのおよそ10分の1に抑えられる可能性も示しています。

ここも、表現には注意が必要です。DNPは「1.4nm世代相当」の先端ロジックに対応可能としていますが、これはDNP側の技術位置づけであり、最先端ファウンドリが量産採用を公式に決めたという意味ではありません。記事では、「DNPは1.4nm世代相当を視野に入れると説明している」と書くのが安全です。

Canon NILは「Canonの装置」だけではありません。
CanonのNIL装置、DNPのテンプレート、富士フイルムのNILレジスト、キオクシアなどのメモリプロセス評価、材料メーカー、検査装置、エッチング技術。それらを含む日本型エコシステムとして見なければなりません。

富士フイルムは2024年、NIL対応の半導体材料「ナノインプリントレジスト」を日本で提供すると発表しました。これはNIL量産にとって重要です。NILはテンプレートを押し当てるだけではなく、レジストの塗布、UV硬化、残膜除去、エッチング転写までが一体のプロセスだからです。

実際、NILの実用化は「日本4社連合」とも呼べる体制で進んでいます。Canonがナノインプリント装置、DNPが石英製の回路原版、富士フイルムがレジスト、キオクシアがNAND型フラッシュメモリーの量産ラインへの適用を検討する立場です。装置・原版・材料・量産ユーザーが日本企業でそろっている点は、ASML中心のEUVエコシステムとは異なる、NIL固有の強みです。

ASMLが世界のサプライチェーンを束ねてEUVを作ったように、Canon NILも日本単独の一社技術ではなく、産業連携で成立する技術です。

13｜キオクシアとNIL――最初に勝つのはロジックではなくメモリかもしれない

NILの有力用途として、まず注目すべきはメモリです。

キオクシアは、NILを使った3Dデュアルダマシン構造の形成を研究しています。同社は、NILが高解像度、高いパターン忠実性、3D形状形成能力を持ち、特に3D形状の形成では光学リソグラフィより少ない工程でパターニングできるため、コストメリットが期待できると説明しています。

キオクシアの研究では、NILで3Dデュアルダマシン構造をレジスト上に形成し、それをドライエッチングで転写する技術が検討されています。課題としては、穴と溝を同時にエッチングする際のCDシフト、エッチングマスク消耗、厚いレジストがNIL欠陥を増やす問題などが挙げられています。

つまり、NILは万能ではありません。
しかし、3D構造を少ない工程で形成するという点では、光学露光より合理的になる可能性があります。

ここで記事の見方が変わります。

Canon NILは、いきなりTSMCの2nmロジック全面置換を狙う技術ではないかもしれません。
むしろ最初に勝つのは、メモリ、3D構造、先端パッケージング、メタレンズ、フォトニクス、特殊デバイスかもしれない。

EUVの主戦場は最先端ロジックのクリティカルレイヤーです。
NILの主戦場は、最初は「EUVが高すぎる工程」「3D形状が必要な工程」「繰り返しパターンが多い工程」「省エネ・低コストが効く工程」になる可能性が高い。

これは敗北ではありません。
むしろ、Canonが勝ち筋を現実的に選んでいるということです。

14｜NILの強み――光の限界から離れられる

NILの最大の強みは、光の波長や投影光学系の制約から離れられることです。

EUVは13.5nmの光を使い、NAを0.33から0.55へ高めることで解像度を上げます。しかし、EUVはあくまで光学投影です。波長、NA、レジスト、マスク、ミラー、光源、露光量という制約の中で微細化を進めます。

NILは違います。
テンプレートに刻まれたパターンを直接転写するため、理屈の上では、どれだけ精密なテンプレートを作れるか、どれだけ欠陥なく転写できるかが鍵になります。

CanonはFPA-1200NZ2Cで14nm線幅、5nmノード相当を示し、10nm線幅、2nmノード相当も期待できると説明しています。
DNPは10nm線幅のNILテンプレートを開発し、EUV工程の一部置き換えの可能性を示しています。

つまり、解像度だけを見れば、NILには非常に大きな可能性があります。

もう一つの強みは、工程数削減です。
NILは2D・3D形状を一括転写できるため、複雑な形状を少ない工程で作れる可能性があります。Canonも、2D・3D回路パターンを1回のインプリントで形成でき、CoO低減につながる可能性があると説明しています。

さらに、電力です。
EUVは巨大な光源を必要とします。NILは特殊波長の光源を使わないため、電力消費を大幅に抑えられる可能性があります。

AI時代には、半導体だけでなく、半導体製造そのものの電力コストも重くなります。
その意味で、NILは「グリーン半導体製造技術」としての側面も持ちます。

15｜NILの弱点――ハンコだからこそ難しい

しかし、NILには大きな課題があります。

第一に、欠陥です。

NILは接触転写です。
テンプレートをレジストに押し当てる以上、粒子、気泡、樹脂残り、剥離時の欠陥、テンプレート摩耗が問題になります。

CanonがFPA-1200NZ2Cで微粒子汚染を抑える環境制御技術を新開発したと説明しているのは、この課題がNILの核心にあるからです。

第二に、オーバーレイです。

半導体は何十層もの回路を積み重ねます。1層だけ細かく作れても、上下の層がずれれば不良になります。CanonのFPA-1200NZ2Cはオーバーレイ精度4nm以下を仕様としていますが、最先端ロジックでは今後さらに厳しい精度が必要になります。

第三に、スループットです。

EUVやDUVは非接触の光学投影で高速に処理できます。NILは押し当て、硬化、剥離という機械的工程を含みます。したがって、解像度が高くても、量産速度が十分でなければ採用は限定的になります。

第四に、テンプレート寿命と検査です。

NILのテンプレートは、単なるマスクではなく、ウェハに直接触れる原版です。テンプレートに欠陥があれば、その欠陥が繰り返し転写される可能性があります。テンプレートの製造、検査、洗浄、寿命管理は、NIL量産の成否を左右します。

NILは「簡単なハンコ」ではありません。
ハンコだからこそ、触れることによる難しさがあるのです。

16｜では、Canon NILはASML EUVを置き換えるのか

現時点の答えは、こうです。

Canon NILは、ASML EUVをすぐ全面置換する技術ではありません。
しかし、EUVの一部工程を置き換える、またはEUVを使いにくい顧客・用途に別ルートを提供する技術です。

最先端ロジックの主流は、当面ASML EUVです。
TSMC、Samsung、Intel、SK hynix、Micronの先端プロセスは、EUV前提で設計されています。露光装置だけでなく、マスク、レジスト、検査、補正、歩留まり改善、設計ルール、ファブ運用まで、EUVを中心に最適化されています。

ASMLは2025年に売上327億ユーロ・純利益96億ユーロという過去最高を記録し、受注残は388億ユーロに達しました。同年にEUVを48台（うちHigh-NA 2台）、DUVを279台、計測・検査装置を多数販売し、47億ユーロを研究開発に投じています。
この規模とエコシステムを、Canon NILが短期間で丸ごと置き換えるのは現実的ではありません。

しかし、EUVには大きな問題もあります。

高い。
複雑。
供給が限られる。
地政学的に制限される。
High-NAではさらに高くなる。

この問題に対して、NILは別の解を出します。

「光で描くのではなく、直接転写する」
「巨大光源を使わない」
「低消費電力化できる」
「3D形状を一括形成できる」
「EUV工程の一部を置き換えられる可能性がある」

これは、ASMLを倒す技術というより、ASML一強の世界に“別の道”を作る技術です。

17｜NILはどこまで微細化できるのか――EUVより“先”へ行けるのか

ここで、多くの人が抱く根本的な問いに答えます。NILは、EUVよりも微細化を進められるのでしょうか。それとも、どこかで限界に突き当たるのでしょうか。

結論から言えば、原理上の解像度ポテンシャルだけを見れば、NILにはEUVより“伸びしろ”があります。ただし、本当の限界は「どこまで細く作れるか」ではなく、「それを欠陥なく、重ね合わせ精度を保ち、十分な速度で量産できるか」に移ります。

EUVの限界は「光の波長」と「NA」にあります。EUVは光で焼き付ける技術である以上、解像度は回折限界の影響を受けます。EUVの波長は13.5nm。これ以上細かくするには、NAを上げるか、波長を短くするか、多重露光や計算リソグラフィを駆使する必要があります。ASMLがLow-NAからHigh-NAへ進むのは、この制約を超えるためです。

一方NILは、光で描くのではなく、テンプレートに刻まれた形をそのまま転写します。つまり解像度は、光の波長ではなく「どれだけ精密なテンプレートを作れるか」「どれだけ残膜を制御できるか」「どれだけ欠陥なく剥離できるか」に依存します。テンプレートを電子ビーム描画やSADPなどで高精度に作れれば、NILは波長の壁なしに一桁nm級の構造へ近づける可能性があります。

しかし、ここに落とし穴があります。NILの限界は、解像度だけではありません。

第一に、テンプレートそのものの製造限界です。原版は電子ビームで描くため、極めて高精度ですが、作るのに時間がかかります。第二に、レジストの分子レベルの限界です。細かい形を転写しても、樹脂がその形を保持できなければ意味がありません。第三に、残膜制御です。NILではテンプレートを押し当てた後に薄い残膜が残るため、それを均一に除去し、下地へ正確に転写する工程が必要です。第四に、接触転写ゆえの欠陥です。粒子や気泡が一つ入るだけで、テンプレートとウェハ双方に問題を起こす可能性があります。

つまりNILでは、限界が「細かく描けるか」から「量産できるか」へと移るのです。

そして、もう一つ大きな視点があります。1nm未満の世界では、業界全体が「平面を細かくする」競争から「縦に積む」競争へ軸足を移しつつあります。GAA、CFET、HBM、3D NAND、チップレット、先端パッケージングがその象徴です。

この3次元時代には、「誰が一番細い線を描けるか」という問いの重みが、相対的に下がります。最も微細なクリティカルレイヤーはEUVが担い、繰り返しパターンや3D形状、特定の層をNILが担う。後工程やパッケージングはNikonのデジタルリソグラフィや別の露光技術が担う。そうした“使い分け”が重要になります。

ですから、NILとEUVの微細化勝負は、「どちらが勝つか」という単純な話ではありません。

解像度の物理的な伸びしろ：NILは波長の壁がない
量産の成熟度・エコシステム：EUVが圧倒的に先行
本当の主戦場：3次元積層時代の「工程ごとの最適配置」

Canon NILの可能性は、「EUVより細く描けるか」だけではなく、省エネ・低コストで、特定の工程を本当に量産で回せるかにかかっています。そしてその答えが出始めるのが、2027年なのです。

18｜Nikonはどこへ向かうのか――EUVではなくArF・後工程・汎用/実装へ

では、Nikonはどうでしょうか。

NikonはEUVではなく、ArF液浸、DUV、FPD、デジタルリソグラフィ、先端パッケージング、サービスで再挑戦しています。

Nikonは2023年、NSR-S636E ArF液浸スキャナーを発表しました。これは同社史上最高の生産性を持つArF液浸スキャナーで、従来機より10〜15％高い総合出力を実現すると説明されています。Nikon Precisionの製品説明では、最大280 wafers per hourの超高スループット、強化されたインライン・アライメントステーション、高精度なウェハ反り・歪み補正能力を特徴としています。

さらにNikonは、主要半導体メーカーと新しいArF液浸露光装置プラットフォームの共同開発を進め、互換性と生産性の向上を狙っていると説明しています。

ここで言う互換性は非常に重要です。

現代のファブはASML中心に最適化されています。
Nikonがどれだけ安く良い装置を作っても、ASML装置で作った前後工程と合わなければ採用されません。したがってNikonの再挑戦は、「ASMLに対抗する」だけでなく、「ASML中心のファブ環境に入り込める互換性」を作る戦いです。

Nikonはさらに、後工程・先端パッケージング向けにも動いています。2025年7月には、後工程向けデジタルリソグラフィシステムDSP-100の受注を開始しました。DSP-100は600×600mmの大型角型基板に対応し、パネルレベルパッケージング向けに高精度な反り・変形補正を行う、マスクレスの露光装置です。さらに2026年6月には、1.5μm解像度の高生産性デジタルリソグラフィシステム開発を発表し、DSP-100の50 panels per hourから65 panels per hour以上へ、30％超のスループット向上を狙うとしています。

つまり、Nikonの方向性は「最先端ロジックのEUVでASMLに正面衝突」ではありません。

むしろ、
ArF液浸の第二供給源、
ASML中心ファブへ入り込める互換性、
3Dデバイス向け補正能力、
後工程・先端パッケージング、
パネルレベルパッケージング、
FPD露光、
サービス収益、
既存顧客の装置更新、
という領域で戦う現実路線です。

より正確に言えば、Nikonが狙っているのは「単なる汎用」ではなく、EUVではないが先端半導体にも不可欠なDUV・後工程・実装領域です。

ここで、一つ重要な構図があります。ASMLは、最先端のEUVだけを売っているわけではありません。最も微細なクリティカルレイヤーにはEUVおよびHigh-NA EUV、それより緩い多くの層には液浸ArFを中心としたDUV、成熟世代にはKrFやi線と、最先端から汎用まで“フルライン”を押さえています。実際、2025年もASMLはEUVを48台売る一方で、DUVを279台売っています。

つまり、現代のファブはEUVとDUVを同じ生産ラインで混在させ、その全体がASMLの装置と工程に合わせて最適化されています。EUVを持たないNikonがここへ入り込むには、ASML装置で作る前後の工程と“合う”装置、すなわち互換性のあるDUVを作るしかありません。

EUVで正面からASMLを倒すのではなく、DUVと後工程で「ASML互換の第二供給源」になる。
それがNikonの現実解です。

19｜Canon、Nikon、ASMLの現在地

ASML、Canon、Nikon――同じ「露光装置メーカー」でも、いま戦っている場所はまったく違います。3社の現在地を、言葉で整理してみましょう。

まずASMLです。主戦場はEUV、High-NA EUV、DUV、そして計測・検査装置。技術の方向性は、光学投影をどこまで極限まで突き詰められるか、そしてファブ全体を最適化できるかにあります。強みは、EUVの事実上の独占、顧客を巻き込んだエコシステム、Zeissの光学やCymerの光源などを束ねる統合力です。一方の課題は、装置価格の高さ、供給能力の制約、そして中国向け輸出規制に象徴される地政学リスクです。

次にCanonです。主戦場はNIL、KrF/i線、FPD（フラットパネル）、産業用装置。技術の方向性は、光学投影ではなく直接転写という、まったく別の原理です。強みは、NILの低電力・低コスト・3D形状一括形成という特性と、DNPや富士フイルム、キオクシアといった日本企業との連携です。課題は、接触転写ゆえの欠陥、オーバーレイ精度、テンプレート寿命、そして何より量産実績の少なさです。

最後にNikonです。主戦場はArF液浸、DUV、FPD、後工程、デジタルリソグラフィ。技術の方向性は、ASMLに正面から挑むのではなく、ASML互換の第二供給源として、また先端パッケージング領域で存在感を出すことです。強みは、光学・精密機械の蓄積、ArF技術、補正能力、後工程への展開力。課題は、ASML中心に最適化されたエコシステムへどう食い込むか、そして失った顧客基盤をどう取り戻すかです。

ASMLは、現在の王者です。
Canonは、別原理で挑む異端です。
Nikonは、EUVではなくDUVと後工程で再浮上を狙う現実派です。

この3社は、同じ「露光装置メーカー」と言っても、戦っている場所が違います。

20｜Canon NILが世界を狙うための条件

Canon NILが本当に世界の量産ラインを狙うには、越えるべき条件が大きく8つあります。問われるのは「装置が売れるか」ではなく、「NILを使った量産プロセス全体が成立するか」です。

第一に、欠陥密度の低減です。
NILは、テンプレートをレジストに直接押し当てる接触転写です。そのため、たった一つの微粒子が、そのままチップ一個を不良にしかねません。これがロジック量産における最大の壁であり、Canonが微粒子汚染を抑える環境制御技術を強調するのも、ここに核心があるからです。先端ロジックでは、欠陥管理がそのまま歩留まり、ひいてはCoOを左右します。

第二に、オーバーレイ精度の向上です。
半導体は何十層も重ねるため、層と層のズレが命取りになります。Canon FPA-1200NZ2Cの仕様は4nm以下ですが、最先端ロジックではさらに厳しい精度が求められます。IEEE Spectrumは、Canon側の将来ロードマップとして、DRAMで10nm線幅・2nmオーバーレイ、ロジックで8nm線幅・1.6nmオーバーレイという目標を紹介しています。ここをいかに詰められるかが、NILの分岐点です。

第三に、スループットです。
NILは押し当て・硬化・剥離という機械的な工程を含むため、光学露光より遅くなりがちです。NILの量産性については、80〜100 wph級を目指す議論がありますが、ASMLの最新EUV/DUV装置はさらに高い生産性を持ちます。NILが最初にメモリや繰り返しパターンの多い工程で勝負するのが現実的なのは、この理由もあります。

第四に、テンプレート供給網です。
原版は電子ビームで描くため、それ自体に解像度と低スループットの制約があります。量産には、原版の製造能力、欠陥検査・修正、寿命管理が欠かせません。DNPの10nmテンプレートは大きな進展ですが、量産では「作れる」だけでなく、「安定供給できる」「検査できる」「寿命を管理できる」ことが必要です。

第五に、材料エコシステムの成熟です。
NILは、低粘度のレジスト、UV硬化、残膜除去、その後のエッチング転写まで、一連の材料・プロセスが噛み合って初めて成立します。富士フイルムがNILレジストを提供することは重要ですが、数十年の蓄積がある光学リソの材料系に比べ、NILの材料・プロセスはまだ若い分野です。

第六に、用途選定です。
いきなり最先端ロジックの全面置換を狙うより、メモリ、3D構造、先端パッケージング、メタレンズ、フォトニクス、特殊デバイスなど、NILの強みが出やすく、オーバーレイや欠陥の要求が比較的緩い用途・レイヤーから量産実績を積むべきです。最先端ロジックでも、まずはクリティカルでない層から入るのが現実的です。

第七に、旗艦顧客の量産コミットメントです。
2026年時点で、最先端ロジックの量産にNILを正式採用すると公式に表明した大手ファウンドリは、まだありません。Canonは2027年量産採用へ向けた評価・検証が進んでいると説明していますが、投資家も業界も「どこかの大手が量産採用を正式発表する瞬間」を待っています。最初の一社が踏み切れるかどうかが、NILの未来を大きく左右します。

第八に、エコシステム全体の構築です。
ASMLの強さは装置単体ではありません。Canon NILも、DNP、富士フイルム、キオクシア、材料・検査・エッチング装置、設計・補正ソフト、そして顧客ファブまでを巻き込んだ“面”で戦わなければなりません。装置が安く、消費電力を抑えられるという強みも、この面がそろって初めて生きてきます。

整理すれば、Canon NILの成功条件は「装置が売れるか」ではなく、欠陥・オーバーレイ・スループット・原版・材料・用途・顧客・エコシステムという8つの歯車が、量産という一つの機械としてかみ合って回るかどうか、なのです。

21｜EUV覇権の裏側――ASMLも万能ではない

ASMLは圧倒的です。
しかし、ASMLにも弱点はあります。

第一に、価格です。
既存EUVでも高額ですが、High-NA EUVは1台最大4億ドル級とされ、TSMCは現時点でコストが高すぎるとして既存EUVで次世代チップを作る方針を示しています。

第二に、供給能力です。
ASMLの装置は巨大で、サプライチェーンも複雑です。従来EUVですら複数機の大型貨物機で分割輸送されるほど大規模で、High-NAはさらに大型化します。

第三に、地政学です。
EUVは中国へ輸出できません。ASML自身も、中国へEUV装置やEUV専用部品を出荷したことはないと説明し、輸出規制遵守を強調しています。

第四に、顧客のコスト最適化です。
TSMCのような量産王者にとって、最先端装置を使うこと自体が目的ではありません。重要なのは、性能、歩留まり、コスト、サイクルタイムの最適バランスです。

このため、ASMLが王者であり続けるとしても、すべての工程・すべての顧客・すべての用途をEUVだけで支配するわけではありません。

ここにCanon NIL、Nikon ArF、先端パッケージング露光、デジタルリソグラフィの余地があります。

22｜半導体製造は「前工程だけ」の時代ではなくなる

今後の半導体競争では、最先端ロジックの線幅だけでなく、先端パッケージング、チップレット、HBM、3D実装、ガラス基板、フォトニクス、メタレンズ、センサー、パワー半導体が重要になります。

これらの領域では、EUVが唯一の解ではありません。

例えば、HBMやAIアクセラレータでは、メモリとロジックをどう近づけるかが重要になります。先端パッケージングでは、配線、バンプ、再配線層、基板の大型化・高精度化が課題になります。Nikonがデジタルリソグラフィを先端パッケージング向けに拡充しているのは、この流れに沿っています。
なおASML自身も、EUVだけでなく、3Dインテグレーションや先端パッケージング向けのi線装置TWINSCAN XT:260を投入しており、露光装置メーカーの競争は前工程の最先端ロジックだけではなく、後工程・実装領域にも広がっています。

Canon NILも、半導体ロジックだけでなく、メタレンズやXR向け微細光学素子などへの応用を掲げています。FPA-1200NZ2Cは、ロジックなどの半導体に加え、数十nmの微細構造を持つXR向けメタレンズにも使える可能性があります。

つまり、次の半導体製造の勝負は、単に「2nmを誰が作るか」ではありません。

どの装置で、どの工程を、どれだけ安く、どれだけ少ない電力で、どれだけ高歩留まりに作るか。
その総合戦になります。

ASMLは最先端ロジックの王者。
Canon NILは、低コスト・省エネ・直接転写の別ルート。
Nikonは、DUV・後工程・実装の第二供給源。

この棲み分けが、これからの露光装置市場を形作る可能性があります。

23｜日本にとってCanon NILが重要な理由

Canon NILは、日本の半導体産業にとって非常に重要です。

なぜなら、日本は最先端ロジック量産でTSMCやSamsungに後れを取り、EUV装置ではASMLに勝てなかったからです。RapidusがIBM技術をもとに2nm量産へ挑戦していますが、装置はASMLなど海外勢に依存します。

その中でCanon NILは、日本が持つ別の武器です。

Canonの装置。
DNPのテンプレート。
キオクシアのメモリ技術。
日本の材料メーカー。
日本のエッチング・洗浄・検査装置。
日本の精密加工・光学・位置決め技術。

これらを組み合わせれば、ASMLと同じ土俵ではなく、違う土俵で日本が存在感を出せる可能性があります。

特に、EUVを使えない国・顧客・用途にとって、NILは魅力的です。DNPも、10nm NILテンプレートがEUV露光工程の一部を置き換え、EUV生産プロセスを持たない顧客に先端ロジック製造の選択肢を広げる可能性があると説明しています。

これは地政学的にも大きい。

EUVは輸出規制の中心です。
NILがEUVの一部代替になれば、半導体製造の選択肢が増えます。

もちろん、NIL自体も先端技術であり、将来的に規制対象になり得ます。
しかし、少なくとも技術原理としては、EUV一強の世界に別ルートを作ります。

24｜記事の核心――CanonはEUVを倒すのではなく、EUV依存を崩す

この記事の結論は、ここです。

Canon NILは、ASML EUVをすぐ倒す技術ではありません。
しかし、EUV依存を崩す可能性を持つ技術です。

ASMLのEUVは、最先端半導体の現在の王道です。
CanonのNILは、王道ではありません。異端です。

しかし、産業の転換点では、異端が重要になります。

EUVは光学投影の極限です。
NILは、光学投影を使わない直接転写です。

EUVは巨大で高価です。
NILは小型化・低電力化・低コスト化の可能性があります。

EUVは非接触で高速量産に強い。
NILは接触ゆえに欠陥とオーバーレイが難しい。

EUVはロジック最先端で圧倒的に強い。
NILはメモリ、3D構造、特殊デバイス、先端パッケージング、EUV工程の一部代替で勝機がある。

つまり、勝負は「EUVかNILか」ではありません。

どの工程にEUVを使い、どの工程にNILを使い、どの工程にArFを使い、どの工程にデジタルリソグラフィを使うのか。

半導体製造は、単一技術の勝負から、工程ごとの最適配置の勝負になります。

25｜最終結論――ASMLは現在の王者、Canon NILは次世代の“別解”

ASMLは、半導体露光装置の現在の王者です。
これは疑いようがありません。

創業は1984年。
雨漏りする小屋から始まり、PAS 5500で立ち上がり、TWINSCANで生産性を上げ、ArF液浸で日本勢を抜き、Cymer買収でEUVを完成させ、High-NA EUVで次の時代へ進もうとしています。

一方、Canonはかつて日本の露光装置の王者でした。
1970年のPPC-1、1975年のFPA-141F、1978年のPLA-500FA、1984年のFPA-1500FA。日本のDRAM黄金期を支えた会社です。

そのCanonが、EUVではなくNILで再び最先端へ挑もうとしています。

これは、過去の栄光への回帰ではありません。
新しい露光思想への挑戦です。

Nikonもまた、EUVではなくArF液浸・後工程・先端パッケージング・デジタルリソグラフィで、ASML一強の市場に第二供給源として入り込もうとしています。

これからの露光装置市場は、こう見るべきです。

ASMLは、最先端ロジックの王者。
Canonは、NILでEUV依存を崩す挑戦者。
Nikonは、DUV・後工程・実装で再浮上を狙う現実派。

そして日本にとって本当に重要なのは、Canon NILを単独技術として見ることではありません。

Canon、DNP、キオクシア、材料、検査、エッチング、先端パッケージング。
これらを束ね、日本版の新しい半導体製造エコシステムを作れるか。

ASMLは、世界を束ねてEUVを作りました。
Canon NILが世界を狙うなら、日本もまた、装置・原版・材料・プロセス・顧客を束ねる必要があります。

半導体製造の未来は、ASMLのEUVだけでは終わらない。
Canonの“ハンコ”は、EUV覇権の横に、もう一つの道を刻もうとしているのです。

26｜追記：中国もNILに動く――Canonだけの物語ではない

もう一つ、追記しておきたい動きがあります。NILはCanonだけの物語ではなくなりつつあります。

2025年には、中国のPrinano Technologyが、半導体グレードのステップ・アンド・リピート型NIL装置を中国顧客へ納入したと報じられました。報道ベースでは、同社の装置は300mmウェハに対応し、石英テンプレートを使ってサブ10nm級のパターン形成を狙うものとされています。用途としては、最初から最先端ロジック量産ではなく、メモリ、マイクロディスプレイ、フォトニクス、先端パッケージングなどが中心と見られています。

このPrinano（杭州拠点、2017年創業）は、その後さらに踏み込んでいます。2026年6月には、別方式の「PL-AS」（真空エアクッション式NIL）を使い、深紫外（DUV）露光を使わずに8インチのフォトニクス（光半導体）ウェハを量産検証したと発表しました。深圳のLitra Technologyと組み、サブ10nm線幅、ウェハ面内の圧力均一性0.5%以内、残膜のない転写を実現し、製造コストを従来のDUVプロセスの約10分の1に抑えられると主張しています。対象は、化合物半導体（GaAs、InP）やシリコンフォトニクスを使う光通信・センシング用デバイスです。

なぜ中国がNILに動くのか。背景には、EUVをめぐる輸出規制があります。中国はASMLのEUVを入手できず、既存のDUV液浸装置と多重露光を組み合わせて先端に近い世代へ挑んでいると見られますが、工程数・コスト・歩留まりの面で負担は大きくなります。HuaweiやSMEEを軸にした国産露光装置開発も進んでいますが、EUVを量産級に実用化した段階には至っていません。だからこそ、巨大な光源と真空光学系を必要としないNILは、EUVを迂回して特定用途を進める「もう一つの道」として、中国にとって魅力的なのです。

ただし、冷静に見る必要もあります。Prinanoが公表しているのは線幅やコストの主張が中心で、最先端ロジックで決定的に重要なオーバーレイ精度、スループット、量産歩留まりは開示されていません。Canonの装置が線幅14nm（5nmノード相当）の「商用機」として実在するのに対し、Prinanoの数字は多くが企業発表ベースであり、検証はこれからです。とはいえ、NILがCanon一社の物語ではなくなりつつあること自体は、確かな流れです。

これは、Canonにとって二つの意味を持ちます。

一つは、NILが世界的に注目され始めているという追い風です。
EUVはASMLが独占し、輸出規制の中心にあります。EUVを買えない国・企業にとって、NILは「完全な代替」ではなくても、先端工程の一部を別ルートで進める可能性を持つ技術です。

もう一つは、Canonが急がなければならないという警告です。
NILは、EUVほど巨大な光源・真空光学系を必要としないため、装置原理としては参入余地があります。もちろん、欠陥、オーバーレイ、テンプレート、材料、量産プロセスの壁は非常に高い。しかし、中国勢も含めてNILへの関心が高まるなら、Canonは「世界初の商用化」だけでなく、「世界で最初に量産実績を作る」ことが必要になります。

この意味で、2027年はCanon NILにとって重要です。
日本発のNILが、単なる研究技術で終わるのか。
それとも、EUV一強の横に、現実の量産ルートを作れるのか。

その答えは、Canon単独ではなく、日本の装置・原版・材料・メモリ・後工程エコシステム全体の勝負になります。

まとめ：EUV一強の横に、日本発の“別ルート”を作れるか

ASMLのEUVは、現在の半導体産業における王道です。これは変わりません。

しかし、王道が強すぎるからこそ、別ルートの価値が生まれます。

CanonのNILは、EUVの完全代替ではありません。けれども、EUVが高すぎる工程、3D形状を一括形成したい工程、メモリやフォトニクス、先端パッケージングのような領域では、現実的な選択肢になり得ます。

日本が見るべきポイントは、Canon単独の勝敗ではありません。

Canonの装置。
DNPのテンプレート。
富士フイルムのレジスト。
キオクシアのメモリ評価。
NikonのDUV・後工程装置。
材料、検査、エッチング、洗浄、パッケージング。

これらを束ねられるか。