硒化锗单晶GeSe

     单晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我们实验室专利技术生长。我们生长的每块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。每块单晶都是有很好的结晶性，分子层间距有较弱的范德华作用力，层状结构以保证易于剥离。单层GeSe具有具有很好的光学性质，机械性质和光学性质。

     我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶

GeSe块体的尺寸可以达到10mm级别，纯度可以达到99.995% 甚至更高的纯度。单

晶 GeSe 没有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的GeSe单晶具有很大的晶畴，

可以得到很大的单层。

  另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。