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EVM3VSX50B14

更新时间:2025-07-08 12:07:48

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
EVM3VSX50B14
BOM配单
一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
上传BOM

我要上特价
EVM3VSX50B14
今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市赛美科科技有限公司
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12530
Panasonic
NA/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
EVM3VSX50B14
6607
PANASONIC/松下
-/2024+
现货假一罚万只做原厂原装现货

深圳市东嘉盛电子有限公司
EVM3VSX50B14
104000
PANASONIC
SMD/25+
主营电感.磁珠.压敏.热敏

深圳市高捷芯城科技有限公司
EVM3VSX50B14
42687
Panasonic(松下)
SMD/23+
免费送样，账期支持，原厂直供，没有中间商赚差价

深圳市科芯源微电子有限公司
EVM3VSX50B14
65286
PANASONIC
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样

深圳市芯乐创科技有限公司
EVM3VSX50B14
41608
PANASONIC
SMD/26+
只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市科翼源电子有限公司
EVM3VSX50B14
5350
Panasonic
SMD/13+
原装现货

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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6500
PANASONIC/松下
3X310K/23+
只做原装现货

中科航电（深圳）电子集团有限
EVM3VSX50B14
68900
PANASONIC
SMD/-
一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳市硅诺电子科技有限公司
EVM3VSX50B14
33528
PANASONIC
SMD/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市汇莱威科技有限公司
EVM3VSX50B14
68900
PANA
-/24+
一站配齐原盒原包现货朱S Q2355605126

贸泽芯城（深圳）电子科技有限
EVM3VSX50B14
80000
Panasonic
SMD/2023+
一级代理，原厂排单到货，可开原型号13%专用发票

深圳市华美锐电子有限公司
EVM3VSX50B14
5270
PANASON
3X310K/21+
-

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
EVM3VSX50B14
8913
PANASONIC/松下
SMD/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市莱克讯科技有限公司
EVM3VSX50B14
15565
PANASONIC
SMD/1905+
深圳原包装现货库存-正规渠道-增值税票

深圳市芯国创科技有限公司
EVM3VSX50B14
2000
PANASONIC
SMD/25+
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务

深圳市金灿利电子科技有限公司
EVM3VSX50B14
168000
PANASONIC/松下
SMD/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市星宇佳科技有限公司
EVM3VSX50B14
7500
PANASONIC/松下
SMD3/16+
16+

深圳市锦泰世纪电子有限公司
EVM3VSX50B14
2500
PANASONIC/松下
SMD/20+
长期回收原装IC

深圳市万芯时代贸易有限公司
EVM3VSX50B14
1
回收IC
N/A/25+
回收此型号EVM3VSX50B14

深圳市金灿利电子科技有限公司
EVM3VSX50B14
128000
Panasonic
SMD/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市思跃电子有限公司
EVM3VSX50B14
20000
Panasonic
-/-
-

艾润（香港）电子有限公司
EVM3VSX50B14
3000
PANASONIC
3X310K/2019+
原装部分现货量大期货

深圳市泰佳兴电子有限公司
EVM3VSX50B14
41101
PANASONIC
SMD/-
大量现货，提供一站式配单服务

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EVM3VSX50B14 概述

EVM3VSX50B14是村田制作所（Murata）生产的一款多层陶瓷片式电容器（MLCC）。该电容器采用了X7R电介质材料，具有较高的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容变化率在±15%以内。其额定电压为50V，适用于需要较高耐压的电路设计中。EVM3VSX50B14通常用于电源去耦、滤波等场景，在通信设备、工业控制以及消费类电子产品中应用广泛。在实际应用时，需注意保持焊接温度和时间符合制造商建议，以避免因过热导致电容器损坏或性能下降。同时，在进行PCB布局时，尽量缩短电容器与负载之间的走线距离，以提高去耦效果。

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