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RSQ030P03TR

更新时间:2025-07-05 10:30:53
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RSQ030P03TR外观图

RSQ030P03TR

ROHM Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

  • 封装:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
RSQ030P03TR 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    80 毫欧 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    440pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.25W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装
    TSMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
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