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BCP53 PNP medium power transistors PHILIPS BCP53PDF下载
BCP53 PNP General Purpose Amplifier FAIRCHILD BCP53PDF下载
BCP53 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRAN... ZETEX BCP53PDF下载
BCP53 MEDIUM POWER AMPLIFIER STMICROELECTRONICS BCP53PDF下载
BCP53 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTra... DIOTEC BCP53PDF下载
BCP53 PNP Medium Power Transistors KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd] BCP53PDF下载
BCP53 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTra... DIOTEC [Diotec Semiconductor] BCP53PDF下载
BCP53 PNP medium power transistors PHILIPS [Philips Semiconductors] BCP53PDF下载
BCP53 PNP General Purpose Amplifier FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] BCP53PDF下载

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型号厂家封装批号数量日期价格
BCP53 PHILIPS SOT-223 05+ 182 2011/3/15 15:04:10 0.0400/pcs
BCP53 NXP SOT223 11+ 120000 2012/4/17 17:50:17 0.2500/pcs
BCP53 NXP 10+ SOT-223 3000 2012/4/17 16:58:29 0.2500/pcs
BCP53 SK SOT-223 11+ 50K 2011/4/18 18:03:44 0.2900/pcs
BCP53 SK SOT-223 11+ 1000 2011/3/15 14:39:57 0.2900/pcs
BCP53 INFINEON SOT223 12+ 10000 2012/4/18 11:00:25 0.3000/pcs
BCP53 PHILIPS/NXP SOT223 09+ 65000 2012/4/18 8:13:42 0.3000/pcs
BCP53 ON SOT-223 11+ 90000 2012/4/17 18:38:49 0.3000/pcs
BCP53 NXP SOT-223 11+ 82000 2012/4/17 17:40:29 0.3000/pcs
BCP53 SK SOT-223 11+ 84000 2011/4/21 15:46:51 0.3000/pcs

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标准包装:
2,500
类别:
分离式半导体产品
家庭:
晶体管(BJT) - 单路
系列:
-
晶体管类型:
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:
1.2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:
80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大）:
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):
40 @ 150mA，2V
功率 - 最大:
1.5W
频率 - 转换:
-
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装:
SOT-223-4
包装:
带卷 (TR)
其它名称:
BCP53-NDBCP53FSTR

BCP53T1G的技术参数
产品型号:BCP53T1G
类型:PNP
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):80
集电极最大电流Ic(max)(mA):1000
直流电流增益hFE最小值(dB):40
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50
封装/温度(℃):SOT-223/...
BCP53T1的技术参数
产品型号:BCP53T1
类型:PNP
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):80
集电极最大电流Ic(max)(mA):1
直流电流增益hFE最小值(dB):40
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):－
封装/温度(℃):SOT223/-65~1...
BCP53-16T1G的技术参数
产品型号:BCP53-16T1G
类型:PNP
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):80
集电极最大电流Ic(max)(mA):1000
直流电流增益hFE最小值(dB):100
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50
封装/温度(℃):SOT-...
BCP53-10T1G的技术参数
产品型号:BCP53-10T1G
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):80
集电极最大电流Ic(max)(mA):1000
直流电流增益hFE最小值(dB):63
直流电流增益hFE最大值(dB):160
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50(typ)
封装/温度(℃):...

2011年3月16日维库电子市场网IC报价
8.00元深圳市锦丰电子有限公司24c02atmel sop-8 09+ 1000 0.35元北京逸芯同创电子有限公司s25fl032poxmfi011spansion sop-8w 1032+ 4540 11.00元瑞浩芯科技有限公司销售部 rtl8111erealtek qfn 223 10.00元深圳市三墨斯电子有限公司pic18f4550-i/ptmicroc 10 15 28.00元深圳市恒泰电子有限公司tip33cst to-3p 10000 3.15元汕头市元强电子有限公司bcp53长电 sot-223 2010+ 300000 0.45元深圳市迈泓达科技有限公司bcp56长电 sot-223 2010+ 300000 0.45元深圳市迈泓达科技有限公司rtl8111e 09+ 100 9.00元科兴业电子有限公司adum5201arwzadi sop-16 10+ 10 65.00元深圳福华特电子科技有限公司ds90c032tmns sop-16 2009+ 1520 10.00元深圳市弘润鑫科技有限公司stc12c5616adstc代理 dip/sop/lqfp 20

BCP53-10T1G BCP53-16 BCP53-16T1G BCP53T1 BCP53T1G BCP54 BCP55 BCP56 BCP56-10T1 BCP56-10T1G

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