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CMOS模拟开关的选择与应用
联构成，可使信号双向传输，如果将不同vin值所对应的p 沟道mosfet 与n 沟道mosfet 的导通电阻并联，可得到图2 并联结构下导通电阻（ron）随输入电压（vin）的变化关系，如果不考虑温度、电源电压的影响，ron 随vin 呈线性关系，将导致插入损耗的变化，使模拟开关产生总谐波失真（thd），这是设计人员所不希望的，如何将ron随vin的变化量降至最小也是设计新一代模拟开关所面临的一个关键问题。另外，导通电阻还与开关的供电电压有关，由图3 可以看出：ron随着电源电压的减小而增大，当max4601的电源电压为5v 时，最大ron为8ω；当电源电压为12v 时，最大ron为3ω；电源电压为24v时，最大ron仅为2.5ω。ron的存在会使信号电压产生跌落，跌落量与流过开关的电流成正比，对于适当的电流这一跌落量在系统容许的误差范围内，而要降低ron所耗费的成本却很高，因此，应根据实际需要加以权衡。ron 确定后，还需考虑通道间的失配度与ron的平坦度。通道失配度用来描述同一芯片不同通道间ron 的差别；ron 的平坦度用于描述每一通道的ron在所规定的信号范围内的变化量。这两个参数的典型值为

问一个模拟开关的问题
联构成，可使信号双向传输，如果将不同vin值所对应的p 沟道mosfet 与n 沟道mosfet 的导通电阻并联，可得到图2 并联结构下导通电阻（ron）随输入电压（vin）的变化关系，如果不考虑温度、电源电压的影响，ron 随vin 呈线性关系，将导致插入损耗的变化，使模拟开关产生总谐波失真（thd），这是设计人员所不希望的，如何将ron随vin的变化量降至最小也是设计新一代模拟开关所面临的一个关键问题。另外，导通电阻还与开关的供电电压有关，由图3 可以看出：ron随着电源电压的减小而增大，当max4601的电源电压为5v 时，最大ron为8ω；当电源电压为12v 时，最大ron为3ω；电源电压为24v时，最大ron仅为2.5ω。ron的存在会使信号电压产生跌落，跌落量与流过开关的电流成正比，对于适当的电流这一跌落量在系统容许的误差范围内，而要降低ron所耗费的成本却很高，因此，应根据实际需要加以权衡。ron 确定后，还需考虑通道间的失配度与ron的平坦度。通道失配度用来描述同一芯片不同通道间ron 的差别；ron 的平坦度用于描述每一通道的ron在所规定的信号范围内的变化量。这两个参数的典型值为

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