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电子发烧友网>存储技术>基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%

基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%

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2020-11-20 17:15:444306

SK海力士发布多堆栈1764D闪存,采用TLC

后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈1764D闪存的研发,容量512Gb(64GB),TLC
2020-12-07 13:44:092510

SK海力士发布176TLC 4D NAND闪存

根据外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司发布了 176 512 Gb 三 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:233708

不要过于关注3D NAND闪存层数

NAND应运而生,可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量,在需要存储海量数据的时代有着重大价值。        依托于先进工艺的3D NAND,氧化越来越薄,面临可靠性和稳定性的难题,未来的3D NAND将如何发展?如何正确判断一款3D NAND的总体效率? 在2020年的闪存
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技术堆叠将走向何方?

发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久,存储厂商们还在128闪存高台上观景”,2019年6月SK海力士发布128TLC 3D NAND于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583

铠侠推出1623D闪存:产能增加70%、性能提升66%

在几大闪存原厂的主力从96升级到128/144之后,、SK海力士之前推出了1763D闪存,现在铠侠、西数也加入这一阵营,推出了1623D闪存。 各大厂商的3D闪存技术并不一样,所以堆栈
2021-02-19 18:03:412917

铠侠、西数推1623D闪存,性能提升66%

在几大闪存原厂的主力从96升级到128/144之后,、SK海力士之前推出了1763D闪存,现在铠侠、西数也加入这一阵营,推出了1623D闪存
2021-02-20 10:40:582714

铠侠和西部数据推出第六代1623D闪存技术

新一代3D NAND技术已迎来新的战局,继光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代1763D NAND之后,铠侠和西部数据也正式宣布推出1623D NAND技术,三星也称将在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特尔大力推广1443D NAND,硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:072770

长江正式打破三星垄断,1923D NAND闪存实现年底量产

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32NAND闪存,以及64堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:218286

宣布已量产全球首款232NAND 带来前所未有的性能

技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“ 232 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 ,可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛
2022-07-28 09:49:5922968

3D NAND是否数物理限制?

已经在完成 232 NAND 的订单,而且不甘示弱,SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 512Gb 三单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是,芯片制造商私下表示,他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND
2022-08-29 16:59:20888

「复享光学」3D NAND多层薄膜量测的新思路

据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道,长江存储的2323D NAND闪存X3-9070已经实现量产,领先于三星、、SK海力士等厂商,这也是__中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者。__
2022-12-05 17:07:381876

200NAND芯片的消费级固态硬盘2550 SSD正式出货

发布的官方新闻稿,该企业宣布其已经正式出货了全球首款使用超过200NAND芯片的消费级固态硬盘2550 SSD,该SSD采用232NAND技术,采用PCIe 4.0标准。
2022-12-08 16:19:191261

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227

浅谈400以上堆叠的3D NAND的技术

3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度,可支持在更小的空间内,容纳更高的存储容量,从而有效节约成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209

三星:2030年3D NAND将进入1000以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280
2023-07-04 17:03:293142

发布UFS 4.0封装新品,尺寸缩减20%,速度提速25%

指出,此次小小的改进主要受益于智能手机原始设备制造商的需求。他们希望腾出更多手机内部空间给更大的电池。新产品的研发是团队在全美的客户实验室综合考虑各方面因素做出的决定,利用了2323D NAND技术成果。
2024-02-27 16:10:531472

推出业界领先的增强版通用闪存UFS 4.0移动解决方案

2024 年 2 月28日,Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布开始送样增强版通用闪存UFS4.0 移动解决方案,该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型 UFS 封装 (9 x 13mm) 。
2024-02-28 10:58:291525

推出紧凑封装型 UFS 4.0,助力下一代智能手机设计搭载更大容量电池

方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型 UFS 封装(9 x 13mm)。基于先进的 232 3D NAND 技术, UFS 4.0 解决方案可实现高达 1 TB 容量,其卓越性
2024-02-29 16:46:521214

推出增强版通用闪存(UFS)4.0移动解决方案

科技股份有限公司近日宣布推出其增强版通用闪存UFS4.0移动解决方案,标志着手机存储技术的新里程碑。这一方案不仅具备创新的专有固件功能,还采用了业界领先的紧凑型UFS封装(9 x 13mm),为智能手机市场带来了前所未有的性能提升
2024-03-01 09:41:531354

铠侠计划2030-2031年推出千3D NAND闪存,并开发存储级内存(SCM)

目前,铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术,他们最杰出的作品便是218堆叠的BICS8 3D闪存,这项产品达到的传输速度高达3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351

232QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品

科技近期宣布,其创新的232QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:341553

232QLC NAND现已量产

科技近日宣布了重大技术突破,其先进的232QLC NAND闪存已成功实现量产,并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘(SSD)中。此外,还推出了2500 NVMeTM SSD,该产品已面向企业级存储客户大规模生产,并向PCOEM厂商提供了样品。
2024-05-06 10:59:251099

率先量产232QLC NAND产品

科技再次领跑行业前沿,近日宣布其232QLC NAND产品已成功实现量产,并已开始应用于部分Crucial英睿达固态硬盘中。这一突破性的技术不仅满足了客户端对数据存储的高需求,同时也为数据中心提供了更高效的存储解决方案。
2024-05-09 14:53:551034

第九代3D TLC NAND闪存技术的SSD产品开始出货

知名存储品牌近日正式宣布,搭载其研发的第九代(G9)3D TLC NAND闪存技术的固态硬盘产品已然问世,并已批量上市,成为全球业内首家成功跨越此历史性阶段的制造商。该产品所采用的堆叠层数高达
2024-07-31 17:11:171680

铠侠量产四单元QLC UFS 4.0闪存

近日,铠侠宣布成功量产业界首款采用四单元(4LC)技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存相较于传统的TLC UFS,拥有更高的位密度,使其在存储需求日益增长的移动应用程序领域具有更广泛的应用前景。
2024-10-31 18:22:003418

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000

2030年实现1000堆叠的3D NAND存储器。   3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”,包括三星、海力士、、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源,而比拼的就是堆叠层数。   3D NAND 为何如此重要?   随着数字化信息的爆炸性增长,对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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