Kioxia(原东芝存储),西部数据(WD)联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前,原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 3D NAND技术方面,三星2019年积极提高96层3D NAND生产比重,广泛应用于SSD产品中,并在6月份
2019-12-29 00:37:00
9419 空气产品公司 (Air Products,纽约证券交易所代码:APD),全球领先的工业气体与功能材料供应商,今日宣布旻华投资(Kiina Investment)公司董事长何庆源(David H.Y. Ho)已被推选加入公司全球董事会。
2013-02-05 10:50:37
1085 一周之前,三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间,同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:16
1488 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业,计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后,于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:00
1030 包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)与东芝(Toshiba)为量产3D NAND Flash,纷投资建厂或以既有生产线进行转换,SK海力士(SK Hynix
2015-10-09 09:40:15
980 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:43
7470 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月,先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND 芯片,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:06
44661 
目前,我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势,但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于,海力士(SK Hynix)与东芝(Toshiba)两大市场竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品?
2016-09-12 13:40:25
2173 传三星电子平泽厂(Pyeongtaek)将提前投产,SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)产能也将于明年下半全面开出,届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。
2016-10-10 14:08:47
2158 
目前NAND闪存需求依然居高不下,厂商也有动力扩大产能了,SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存,这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16
1088 据海外媒体报道,传三星电子于2017~2018年,将大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元),以迎接存储器市场史上最大需求热潮。
2017-02-07 07:50:01
1519 3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号,若能整合好跨领域人才和技术,中国3D NAND Flash有望弯道超车。
2017-02-07 17:34:12
9182 
据海外媒体报道,去年下半年以来NAND Flash市场供不应求,主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND,但3D NAND生产良率不如预期,2D NAND供给量又因产能排挤缩小,NAND Flash市场出现货源不足问题,价格也因此明显上涨。
2017-02-27 09:21:37
1739 
以各原厂的技术进展来看,三星去年进度最快已成功量产3D NAND,去年底出货占比已达35%,最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片,3D NAND的出货比重将在本季达到45%。另外,三星不仅西安厂全面量产3D NAND,韩国Fab 17/18也将投入3D NAND量产。
2017-03-02 10:40:25
1179 电子发烧友早八点讯:三星今天在韩国宣布,开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:00
2458 六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息:他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面,XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:35
5877 提升, 已成为闪存市场的主要供应厂商之一,并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片, 是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。慧荣科技身为SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:29
3528 电子发烧友网报道(文/黄晶晶)早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND,并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:00
5554 
什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿?
2021-06-18 06:06:00
(Frame sequential)功能的3D显示器应该只有三星一家。 说到这里,笔者最近正在测试三星的23吋SA950系列3D显示器,并且亲自体验了一把接蓝光播放机的原生3D效果,可以说非常的震撼,甚至在
2011-08-20 14:30:01
的大公司有着合作。2015年末从三星电子DMC研究所中独立并成立MOPIC株式会社之后,一直在国际3D技术领域发展活跃着,2017年还参加了在上海举办的MWC17世界移动大会。MOPIC旗下产品有两种,一种
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功举办,来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖,与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星:看好在UFS市场的绝对优势
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布,位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术,生产用于服务器等的NAND闪存(V-NAND)。三星电子希望在IT(信息技术)设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
衍生了一些新的技术,来助力其闪存产品向3D方向发展。其中,就包括了三星的V-NAND、东芝的BiCS技术3D NAND、英特尔的3D XPoint等。三星在3D NAND闪存上首先选择了CTF电荷撷取
2020-03-19 14:04:57
自SouVR 2009 3D/VR产品展示季【第三季】即将开幕的新闻发布以来,很多虚拟现实原厂和客户通过邮件或电话咨询展示季相关产品和参展事宜。搜维尔在积极准备展示季【第三季】的同时,根据原厂和客户
2009-06-22 20:48:06
NAND只需要提高堆栈层数,目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND,到现在层数已经迈进200+层,并即将进入300+层阶段。目前,三星/西部数据
2024-12-17 17:34:06
的3D闪存了,三星公司7月初宣布了第五代V-NAND闪存(3DNAND闪存中的一种),率先支持ToggleDDR4.0接口,传输速度达到了1.4Gbps,相比64层堆栈的V-NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
三星电子在2010年的时候告密导致鸿海集团(富士康)子公司奇美电子被罚三亿欧元,郭总裁当时痛斥三星电子为”专打小报告的小人”,同时他也表示一定会从韩国人的手裡把这个钱给赚回来,时隔多年,郭总裁收购
2016-12-18 01:18:05
据报道,苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层,256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠,这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元,单个
2017-04-12 01:07:11
1359 中国上海(2017年6月26日)-- 全球领先的工业气体供应商——空气产品公司 (Air Products,纽约证券交易所代码:APD)今天宣布,公司将为世界领先的集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”)的天津产能扩充暨新一代芯片制造项目提供工业气体。
2017-06-26 09:51:33
1665 2018年是3D NAND产能快速增长的一年,主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重,而且相较于2D NAND技术,64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用,使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00
918 上周,随着英特尔和美光宣布未来双方将各自独立开发3D NAND,其维持多年的长期合作关系也将结束。与此同时,有外媒报道,英特尔将于紫光合作,在中国生产3D NAND闪存芯片。在未来几年,英特尔将会
2018-01-16 14:37:55
5172 
三星电子(Samsung Electronics)3D NAND生产比重,传已在2017年第4季突破80%,三星计划除了部分车用产品外,2018年将进一步提升3D NAND生产比重至90%以上,全面进入3D NAND时代。
2018-07-06 07:02:00
1447 三星电子内存解决方案的需求,随着内存的增加而飙升。目前三星正迅速转向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半导体是拉动三星营收和利润的关键,三星正在转向一家半导体和系统公司。
2018-02-07 14:41:52
1318 
位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一,也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:46
8073 在旧金山的闪存峰会上,三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒,容量高达1Tb,用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:00
1196 三星电子今天宣布,已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS),以用于下一代移动设备。据介绍,三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:00
1189 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片,声称其堆叠层数超过90层,可能指的是其96层,制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口,可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:00
2032 据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:05
4460 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口,传输速率提升至1.4Gbps,与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒,比上代提升30%,而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:17
3338 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况,三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒,堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:32
8259 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘(PSSD),提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND(垂直NAND)技术和紧凑耐用的设计,具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性,使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:09
2951 此外,新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙,与前一代相比改进了30%,读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能,电压从1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00
1476 近日,英特尔发布了DC P4500系列及DC P4600系列两款全新的采用3D NAND技术的数据中心级固态盘,加强扩大3D NAND供应。
2018-08-01 17:44:54
1237 随着原厂3D技术的快速发展,2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈,其中,三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称,东芝存储器(TMC)96层3D NAND将在Q4扩大出货,代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:16
1646 ,同时恐激化各家原厂展开96层3D NAND技术竞争,然而市场更多的是关心NAND Flash价格走向将如何。
2018-08-22 16:25:46
2599 今年第三季度,NAND闪存依然处于供给吃紧的状态,主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢,低于预期。
2018-09-16 10:38:14
759 8月28日,三星电子宣布,未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过,三星称,“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是,三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
2018-10-01 16:12:00
3303 公布很多技术细节,特别是很少提及具体的制程工艺,除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场,代表性产品也不足。 三星:最早量产的V-NAND闪存 三星是NAND闪存市场最强大的厂商,在
2018-10-08 15:52:39
780 今年8月初,NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64层3D堆叠,单芯片容量1Tb(128GB)。
2018-11-23 08:36:52
1378 ,紫光将先后启动三大基地生产 3D NAND 芯片,即使合计投资金额高达 1,800 亿人民币,花十年目标换来比肩巨人三星、东芝的机会,紫光此举看来大胆但却值得!
2018-11-30 09:16:25
2791 NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后,正式转进3D NAND Flash时代,目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:57
2304 6月15日,三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND,与48层256Gb V-NAND相比,生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:57
1562 记忆体的3D NAND flash大战即将开打!目前3D NAND由三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:47
1294 7月28日晚间杭氧股份公告表示,公司与芯恩(青岛)集成电路有限公司(以下简称“青岛芯恩”)签署了《工业气体供应合同》,合同约定青岛芯恩与公司合作,公司作为20,000m3/h 纯氮空分装置投资、建设
2019-07-30 15:09:07
5327 在2016年的旧金山闪存峰会上,三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM内存和NAND闪存之间)、包含独特的电路设计与优化后的主控,三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:42
6632 的V-NAND闪存,目前已经发展了三代V-NAND技术,堆栈层数从之前的24层提高到了48层,TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
2019-09-04 09:17:13
7175 三星推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个活动层。从性能的角度来看,要使V-NAND具有超过100层的可行性,三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04
981 三星推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个活动层。从性能的角度来看,要使V-NAND具有超过100层的可行性,三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:25
1778 根据AnandTech的报道,三星计划投资数十亿美元扩大其在中国西安的3D NAND生产设施。
2019-12-18 10:38:20
3458 固态硬盘市场的霸主三星,是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的,也是目前技术最强的,已经发展了三代V-NAND闪存,堆栈层数达到了48层。
2019-12-22 11:19:01
1517 Intel于近日与美光在3D XPoint闪存供应事项上面达成了新的协议,分析师认为,他们向美光支付了以前更多的钱以继续获得3D XPoint产品的供应。
2020-03-23 08:52:43
2863 据了解,136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01
776 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 (PHISON; TPEx:8299) 与长江存储自2016年开始接洽合作,从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226,至近期的64层3D NAND,群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:09
1627 ,已成为闪存市场的主要供应厂商之一,并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片,是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:16
2690 ,已成为闪存市场的主要供应厂商之一,并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片,是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:34
2586 三星计划明年开始与台积电在封装先进芯片方面展开竞争,因而三星正在加速部署3D芯片封装技术。
2020-09-20 12:09:16
3743 。 3D NAND 路线图:三星最早入局,长江存储跨级追赶 Choe 介绍了 2014-2023 年的世界领先存储公司的闪存路线图,包括三星、铠侠(原东
2020-11-20 17:15:44
4306 ,它们都将依赖于TNSC自己专有的气体技术。 作为日本最大的工业气体生产商,大阳日酸株式会社认为3D打印技术是工业4.0发展的一项重要技术。因此大阳日酸株式会社近年来一直在研究3D打印技术,并计划涉足3D打印产业。 在企业定位上,大阳日酸株式会社将自己的工业
2020-12-31 11:25:26
3028 据韩国媒体报道,特斯拉已经与三星达成合作,双方将联手开发一款全新的用于完全自动驾驶的5纳米芯片。
2021-01-26 14:39:05
1950 新一代3D NAND技术已迎来新的战局,继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后,铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术,三星也称将在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特尔大力推广144层3D NAND,硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:07
2770 有韩国媒体发布消息称,韩国半导体生产商三星电子透露,该企业已与谷歌达成合作协议,将作为其自动驾驶技术子公司Waymo的核心半导体芯片产品供应商,为其下一代自动驾驶汽车供货。
2021-03-17 11:30:25
1920 市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:55
1379 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度,可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:36
1624 三星采用 3D 缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术,三星显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25
847 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:31
1027 存储单元中,电荷的存储层可以是浮栅或氮化硅电荷俘获层(Charge-Trapping Layer, CTL)。三维CTL垂直沟道型NAND 闪存(3D NAND 或 V-NAND)基于无结型 (Junctionless, JL)薄膜场效应晶体管(TFT),具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:57
17470 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:39
4227 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:29
3142 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:05
2015 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53
888 原文标题:全面保障工业气体稳定供应,汇川技术即将亮相CHINA 2023国际气体展 文章出处:【微信公众号:汇川技术动态】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
2023-09-07 21:15:01
797 
据业界2日透露,三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造,将目前正在生产的128段(v6) nand闪存生产线扩大到236段(v8)。三星决定从明年初开始更换设备,并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:03
2419 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:31
1299 据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND(3D NAND)闪存芯片。
2024-04-17 15:06:59
1502 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND (3D NAND) 闪存芯片,这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升,也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:20
1500 近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:05
1287 作为九代V-NAND的核心技术,双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解,三星计划于明年推出第十代NAND芯片,采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:01
1536 在技术层面,第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术,在原有的旗舰V8闪存236层的基础上,再次实现了技术上的重大突破,堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:24
1874 据悉,Switch 2游戏机可能搭载由三星代工厂生产的SoC(英伟达Tegra T239芯片,采用三星7LPH工艺节点)。此外,任天堂还计划采用三星第五代V-NAND存储技术以及三星作为显示面板供应商。
2024-04-29 10:23:18
2172 在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:07
1398 生产效率等方面发挥着不可替代的作用。 系统原理 工业气体监测系统,一种用于监测空气质量和有害气体浓度的解决方案。通过部署在工业园区内的传感器、变送器等感知设备,实时监测生产过程中产生的有害气体,如一氧化碳、
2024-06-18 16:11:26
1067 据韩国媒体最新报道,三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破,首次在“金属布线”工艺中引入了钼(Mo)技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:50
1262 三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特(Tb)容量四层单元(QLC)第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先,也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:31
1108 三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代产品,集成了多项前沿技术突破,标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND,通过创新的通道孔蚀刻技术,实现了业界领先的单元层数,为各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:52
1479 还将进一步迈出重要一步——建设第九代V-NAND(286层技术)产线。 报道指出,为了实现这一目标,三星西安NAND厂将在今年上半年引入生产第九代V-NAND所需的新设备。这些先进设备的导入,将为产线建设提供坚实的基础,确保技术升级顺利进行。 据悉,三星西安NAND厂的目标
2025-02-14 13:43:27
1089 近日,索尼空间现实显示屏与VAST旗下的3D大模型Tripo AI正式宣布达成业务合作:双方将围绕裸眼3D显示技术、AI驱动的3D内容生成与交互创新展开深度协同,致力于通过索尼空间现实显示屏
2025-08-28 17:32:00
1116 2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”,包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源,而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要? 随着数字化信息的爆炸性增长,对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:00
8061
评论