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电子发烧友网>存储技术>空气产品公司与三星达成合作 为西安3D V-NAND芯片厂供应工业气体

空气产品公司与三星达成合作 为西安3D V-NAND芯片厂供应工业气体

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市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551379

三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度,可更高效地企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ --  作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:361624

三星第8代V-NAND已开始量产

三星采用 3D 缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术,三星显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847

三星电子量产最高存储密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:311027

详解NAND集成工艺(3D-NAND Integration Technology)

存储单元中,电荷的存储层可以是浮栅或氮化硅电荷俘获层(Charge-Trapping Layer, CTL)。维CTL垂直沟道型NAND 闪存(3D NANDV-NAND)基于无结型 (Junctionless, JL)薄膜场效应晶体管(TFT),具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470

什么是3D NAND闪存?

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888

全面保障工业气体稳定供应,汇川技术即将亮相CHINA 2023国际气体

    原文标题:全面保障工业气体稳定供应,汇川技术即将亮相CHINA 2023国际气体展 文章出处:【微信公众号:汇川技术动态】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
2023-09-07 21:15:01797

三星西安计划将NAND工艺升级236层 明年初更换设备

据业界2日透露,三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造,将目前正在生产的128段(v6) nand闪存生产线扩大到236段(v8)。三星决定从明年初开始更换设备,并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:032419

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299

三星即将量产290层V-NAND闪存

据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND3D NAND)闪存芯片
2024-04-17 15:06:591502

三星量产第九代V-NAND闪存芯片,突破最高堆叠层数纪录

三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND3D NAND) 闪存芯片,这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升,也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产

近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287

三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品,采用290层双重堆叠技术

作为九代V-NAND的核心技术,双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解,三星计划于明年推出第十代NAND芯片,采用重堆叠技术
2024-04-28 10:08:011536

三星宣布量产第九代V-NAND芯片,位密度提升50%

在技术层面,第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术,在原有的旗舰V8闪存236层的基础上,再次实现了技术上的重大突破,堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:241874

任天堂Switch 2将大幅依靠三星供应

据悉,Switch 2游戏机可能搭载由三星代工厂生产的SoC(英伟达Tegra T239芯片,采用三星7LPH工艺节点)。此外,任天堂还计划采用三星第五代V-NAND存储技术以及三星作为显示面板供应商。
2024-04-29 10:23:182172

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398

工业气体监测系统功能特点与应用

生产效率等方面发挥着不可替代的作用。 系统原理 工业气体监测系统,一种用于监测空气质量和有害气体浓度的解决方案。通过部署在工业园区内的传感器、变送器等感知设备,实时监测生产过程中产生的有害气体,如一氧化碳、
2024-06-18 16:11:261067

三星第9代V-NAND采用钼金属布线技术

据韩国媒体最新报道,三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破,首次在“金属布线”工艺中引入了钼(Mo)技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262

三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND

三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特(Tb)容量四层单元(QLC)第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先,也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311108

三星QLC第九代V-NAND量产启动,引领AI时代数据存储新纪元

三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代产品,集成了多项前沿技术突破,标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND,通过创新的通道孔蚀刻技术,实现了业界领先的单元层数,各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:521479

三星西安NAND闪存工厂将建第九代产线

还将进一步迈出重要一步——建设第九代V-NAND(286层技术)产线。 报道指出,为了实现这一目标,三星西安NAND将在今年上半年引入生产第九代V-NAND所需的新设备。这些先进设备的导入,将为产线建设提供坚实的基础,确保技术升级顺利进行。 据悉,三星西安NAND的目标
2025-02-14 13:43:271089

索尼与VAST达成3D业务合作

近日,索尼空间现实显示屏与VAST旗下的3D大模型Tripo AI正式宣布达成业务合作:双方将围绕裸眼3D显示技术、AI驱动的3D内容生成与交互创新展开深度协同,致力于通过索尼空间现实显示屏
2025-08-28 17:32:001116

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000层

2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。   3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”,包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源,而比拼的就是堆叠层数。   3D NAND 为何如此重要?   随着数字化信息的爆炸性增长,对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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