0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

存储器大厂宣布将推 96 层堆栈的 QLC 快闪存储器,性能获重大提升

半导体动态 来源:网络整理 作者:工程师吴畏 2018-07-26 18:01 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

日前,东芝(TOSHIBA)、西数(WD)等存储器大厂分别宣布推出 96 层堆栈的 QLC 快闪存储器,核心容量可达 1.33TB,单一模块就可做到 2.66TB 容量。不过因 QLC 快闪存储器是新产品,普及还要一段时间,目前 3D TLC 快闪存储器如何发展,依然是关键。24 日,东芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固态硬盘,是旗下 96 层堆栈 3D TLC 快闪存储器首发,读取速度达 3,180MB/s,写入速度 2,960MB/s,随机读写可达 365K IOPS,性能强大,最大容量达 1TB,符合市场对高效能运算的需求。

东芝上一代 XG5 系列 NVMe 硬盘,是自家 64 层堆栈 3D TLC 快闪存储器首发。相较新推出的 XG6 系列 SSD 固态硬盘,读写速度最高才 3,000MB/s、2,100MB/s而已,XG6 系列在读写速度有大幅提升,主要是藉由 96 层堆栈 BiCS 4 快闪存储器的性能改善。目前,东芝 XG6 系列 SSD 固态硬盘有 256、512 及 1,024GB 三种容量,均使用 PCIe 3.0 x4 传输界面,支援 NVMe 1.3a 标准,具 M.2 2280 规格,读取速度可达 3,180MB/s,写入速度 2,960MB/s,随机读取及随机写入都是 365K IOPS,随机性能介于三星 960 Pro 的 512GB 与 1TB 版本之间,连续写入性能高于 960 Pro,不过跟 970 Pro 的随机性能可能还有点差距。其他性能方面,XG6 SSD 固态硬盘的典型读取功耗低于 4.2W,典型写入功耗低于 4.7W,待机功耗 3mW,MTTF 时间 150 万小时,保固 5 年,并支援 TCG 及 OPAL 2.0 加密。据了解,东芝 XG6 SSD 固态硬盘主打 OEM 市场,目前正给特定客户送样验证,价格还未公布。由于新一代 QLC 快闪存储器上市日子临近,2018 年底就能见到相关产品发表,加上 QLC 快闪存储器是未来厂商生产重点,势必抢占 TLC 快闪存储器的产能及市场空间。QLC 快闪存储器与 TLC 快闪存储器的发展会如何变化,成为业界的关注重点。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 东芝
    +关注

    关注

    6

    文章

    1511

    浏览量

    124763
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7761

    浏览量

    172316
  • 西数
    +关注

    关注

    1

    文章

    69

    浏览量

    16348
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    相变存储器 (PCM) 技术介绍

    状态。此处,后端指硅工艺中接触以上的部分,包括金属。 相变存储器工作原理PCM的工作原理基于GST材料的独有特性,GST是由锗、锑和碲按化学计量比组成的合金,能够通过注入形状和强度适当的电流脉冲所
    发表于 04-29 15:58

    SDRAM工业动态随机存储器在可编程逻辑控制(PLC)的应用

    在工业自动化控制系统中,可编程逻辑控制(PLC)承担着数据采集、逻辑运算与执行控制的核心任务。随着生产现场对实时性和稳定性的要求不断提高,PLC对内部存储器性能也提出了更严苛的需求。其中
    的头像 发表于 04-07 14:10 186次阅读

    串行mram磁性随机存储器的工作原理与存储机制

    存储器技术不断演进的今天,MRAM磁性随机存储器凭借其独特的非易失性、高速读写与高耐久性,正成为越来越多高端应用场景的理想选择。尤其是串行MRAM磁性随机存储器,通过精简的接口设计与灵活的集成方式,进一步拓展了MRAM在嵌入式
    的头像 发表于 03-30 16:27 274次阅读
    串行mram磁性随机<b class='flag-5'>存储器</b>的工作原理与<b class='flag-5'>存储</b>机制

    PG-1000脉冲发生在非易失性存储器(NVM)及MOSFET测试的应用

    一、文档概述本文聚焦非易失性存储器(NVM)单元表征与MOSFET晶体管测试的核心技术,介绍关键存储类型、测试痛点及适配测试仪器,为相关电子元件研发与检测提供技术参考。二、核心存储与测试相关内容(一
    发表于 03-09 14:40

    【案例5.1】存储器选型的考虑要点

    的选型。以下是选型时最关键的两个因素:(1)产品对存储器容量的要求。一般由系统设计部门和软件设计部门,根据产品需求,共同确定对存储器容量的要求。本案例中的数据表
    的头像 发表于 03-04 17:20 492次阅读
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存储器</b>选型的考虑要点

    VTI低功耗SRAM存储器VTI508HB08

    VTI SRAM存储器在现代芯片设计中的关键作用日益凸显,尤其在高性能微处理中,其低功耗与高速特性已成为提升系统能效的关键。随着半导体工艺持续升级,
    的头像 发表于 02-09 14:41 323次阅读

    FIFO存储器的种类、IP配置及应用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顾名思义,FIFO是一个数据具有先进先出的存储器
    的头像 发表于 01-13 15:15 655次阅读
    FIFO<b class='flag-5'>存储器</b>的种类、IP配置及应用

    瑞萨RA系列FSP库开发实战指南之常用存储器介绍

    存储器是计算机结构的重要组成部分。存储器是用来存储程序代码和数据的部件,有了存储器计算机才具有记忆功能。基本的存储器种类见图21_1。
    的头像 发表于 01-12 06:21 7465次阅读
    瑞萨RA系列FSP库开发实战指南之常用<b class='flag-5'>存储器</b>介绍

    CW32F030片上FLASH闪存存储器物理区域的划分

    片上 FLASH 闪存由两部分物理区域组成:主 FLASH 存储器和启动程序存储器。 1、主 FLASH 存储器,共 64KB,地址空间为 0x0000 0000 - 0x0000
    发表于 12-23 08:28

    双口SRAM静态随机存储器存储原理

    在各类存储设备中,SRAM(静态随机存储器)因其高速、低功耗和高可靠性,被广泛应用于高性能计算、通信和嵌入式系统中。其中,双口SRAM静态随机存储器凭借其独特的双端口设计,在高带宽和多
    的头像 发表于 11-25 14:28 831次阅读

    芯源的片上存储器介绍

    片上FLASH 闪存由两部分物理区域组成:主FLASH 存储器和启动程序存储器。 ●● 主 FLASH 存储器,共 64KB,地址空间为 0x0000 0000 - 0x0000 FF
    发表于 11-12 07:34

    Everspin存储器8位并行总线MRAM概述

    在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器MRAM与SRAM引脚兼容的存储器,以高达35
    的头像 发表于 10-24 16:36 860次阅读

    铠侠第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 存储器开始送样

    融合现有存储单元与先进的 CMOS 技术,实现投资效益最大化   全球存储解决方案领导者铠侠宣布,其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC
    发表于 07-28 15:30 901次阅读

    简单认识高带宽存储器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高带宽存储器,是一种基于 3D 堆叠技术的高性能 DRAM(动态随机存取存储器)。其核心设计是通过硅通孔(TSV)和微凸块(Microbump
    的头像 发表于 07-18 14:30 5727次阅读

    半导体存储芯片核心解析

    /QLC)、更优能效比(LPDDR),并探索能兼具速度和持久性的新兴存储器。 理解这些核心存储芯片的类型、原理、特点和适用场景,就能把握现代电子设备数据处理和存储的基础架构。
    发表于 06-24 09:09