JISと対応する国際規格との対比表

JIS C 5940: 1997 光伝送用半導体レーザ通則

対比項目

IEC 747-5，同Amd.1，同Amd.2 : 1992，1994，1995 半導体デバイス−個別部品

及び集積回路−第5部：光エレクトロニクスデバイス，同追補1，同追補2

(I)JISの規定内容

(II)国際規格番号

(III)国際規格の規定内容

(IV)JISと国際規格との相違点

○ 光伝送用半導体レーザ

に適用。

○ 半導体レーザのほか，発　＝　国際規格から光伝送用半導体レー

光ダイオード，フォトダ

ザに適用できるものだけを抽出し

た。

イオードなどの光半導体

全般に広く適用。

なお，再生・記録用半導体レーザ

はC 5942，C 5943に，光伝送用半

導体レーザモジュールはC 5944，C

5945に，光伝送用発光ダイオード

はC 5950，C 5951に，光伝送用フ

ォトダイオードはC 5990，C 5991

に規定。

○ 半導体レーザのほか，発　＝　国際規格から光伝送用半導体レー

光ダイオード，フォトダ

ザに適用できるものだけを抽出し

た。

イオードなどの光半導体

全般についても規定。

○ 半導体レーザのほか，発　＝　国際規格から光伝送用半導体レー

光ダイオード，フォトダ

ザに適用できるものだけを抽出し

た。

イオードなどの光半導体

全般についても個別規格

の様式を規定。

(V)JISと国際規格

との一致が困難

な理由及び今後

の対策

規定項目

(1) 適用範囲

(2) 用語・記号 ○ 光伝送用半導体レーザ

に関する用語を規定。

(3) 性能

○ 電気的及び光学的特性

と環境及び耐久性に対

する性能について，個別

規格の様式を規定。

備考1. 対比項目 (I) 及び (III) の小欄で，“○”は該当する項目を規定している場合を示す。

2. 対比項目 (IV) の小欄の記号の意味は，次のとおり。

＝：JISと国際規格との技術的内容は同等である。ただし，軽微な技術上の差異がある。