JISと対応する国際規格との対比表

JIS C 5941-1997 光伝送用半導体レーザ測定方法 IEC 747-5，同Amd. 1, 同Amd. 2-1992, 1994, 1995半導体デバイス−個別部品及び集積回路−第5部：光エレクトロニクスデバ

イス，同追補1，同追補2

対比項目 (I) JISの規定内容

(II) 国際規格番 (III) 国際規格の規定内容

号

(IV) JISと国際規格との相違点

規定項目

(1) 適用範囲

○ 光伝送用半導体レーザの測 IEC 747-5,

定方法に適用。

(2) 用語・記号 − JIS C 5940光伝送用半導体レ IEC 747-5,

ーザ通則で規定。

(3) 試験項目

○ 光伝送用半導体レーザの電 IEC 747-5,

気的・光学的特性について測

定に関する個別規格を規定。 747-5 Amd.2

(V) JISと国際規格との一致

が困難な理由及び今後の

対策

○ 半導体レーザのほか，発光ダイオ　＝　国際規格から光伝送用半導

ード，フォトダイオードなどの光

体レーザに適用できるもの

半導体全般に広く適用。

だけを抽出した。

なお，再生・記録用半導体

レーザはC 5942，C 5943に，

光伝送用半導体レーザモジ

ュールはC 5944，C 5945に，

光伝送用発光ダイオードは

C 5950，C 5951に，光伝送用

フォトダイオードはC 5990，

C 5991に規定。

○ 半導体レーザのほか，発光ダイオ　＝ JIS C 5940光伝送用半導体レ

ード, フォトダイオードなどの

ーザ通則で規定。

光半導体全般についても規定。

○ 半導体レーザのほか，発光ダイオ　＝　国際規格から光伝送用半導

既に国内では製品の特性評

ード，フォトダイオードなどの光

体レーザに適用できるもの　価項目として一般的に使わ

半導体全般についても規定。

を抽出し，国際規格にない以　れており，市場における光半

下の項目を追加している。

導体レーザの信頼性確保の

変調時スペクトル，偏光比，

ため。

高調波歪，逆電圧，合成第二

次歪，合成第三次歪

備考1. 対比項目(I)及び(III)の小欄で，“○”は該当する項目を規定している場合，“−”は規定していない場合を示す。

2. 対比項目(IV)の小欄の記号の意味は，次のとおり。

＝：JISと国際規格との技術的内容は同等である。ただし軽微な技術上の差異がある。