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JISと対応する国際規格との対比表

JIS C 5990:1997 光伝送用フォトダイオード通則 IEC 747-5 (1992),同Amd.1 (1994) 半導体デバイスー個別部品及び集積回路第5部:光エレクトロニクスデバイス,同追補1

対比項目 (I) JIS(原案)の規定内容

(II) 国際規格番 (III) 国際規格の規定内容

規定項目

(1) 適用範囲

○ 光伝送用フォトダイオード IEC 747-5

に適用。

(2) 用語・記号 ○ 光伝送用フォトダイオード IEC 747-5

に関する用語を規定。

(3) 性能

○ フォトダイオードのほか,半導体 = 国際規格から光伝送用フォ

レーザ,発光ダイオードなどの光

トダイオードに適用できる

半導体デバイス全般に広く適用。

ものだけを抽出した。

なお,光伝送用半導体レーザ

はJIS C 5940,JIS C 5941に,

再生・記録用半導体レーザは

JIS C 5942,JIS C 5943に,

光伝送用半導体レーザモジ

ュールはJIS C 5944,JIS C

5945に,光伝送用発光ダイオ

ードはJIS C 5950,JIS C

5951に規定。

○ フォトダイオードのほか,半導体 = 国際規格からフォトダイオ

既に国内では製品の特性評

レーザ,発光ダイオードなどの光

ードに対応する部分を抽出 価項目として一般的に使わ

半導体デバイス全般についても

し,国際規格にない以下の項 れており,市場におけるフォ

規定。

目(動作温度)を追加してい

トダイオードの信頼性確保

る。

のため。

Top(a) 動作温度の定義を追

Top(c) 動作温度の定義を追

○ フォトダイオードのほか,半導体 = 国際規格から光伝送用フォ

レーザ,発光ダイオードなどの光

トダイオードに対応する部

分を抽出した。

半導体デバイス全般についても

個別規格の様式を規定。

○ 光伝送用フォトダイオード IEC 747-5

の電気的・光学的特性と環境

及び耐久性に対する性能に

ついて個別規格の様式を規

定。

(IV) JIS(原案)と国際規格との相違 (V) JISと国際規格との一致

が困難な理由及び今後の

対策