JIS C 6115-1 : 2006 ｐｉｎ-ＦＥＴモジュール通則

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

C 6115-1：2006

まえがき

この規格は，工業標準化法第12条第1項の規定に基づき，財団法人光産業技術振興協会(OITDA)／財団

法人日本規格協会(JSA)から，工業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきとの申出があり，日本工業

標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が制定した日本工業規格である。

制定に当たっては，日本工業規格と国際規格との対比，国際規格に一致した日本工業規格の作成及び日

本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために，IEC 62007-1:1999，Semiconductor

optoelectronic devices for fibre optic system applications―Part 1:Essential ratings and characteristicsを基礎として

用いた。

この規格の一部が，技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の

実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会

は，このような技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の実用新

案登録出願にかかわる確認について，責任はもたない。

JIS C 6115-1には，次に示す附属書がある。

附属書Ａ（参考）pin-FETモジュールの個別規格の様式例

附属書Ｂ（参考）pin-FETモジュール環境試験及び耐久試験用個別規格の様式例

附属書Ｃ（参考）代表的特性について

附属書Ｄ（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示

附属書1（参考）JISと対応する国際規格との対比表

JIS C 6115規格群には，次に示す部編成がある。

JIS C 6115-1: pin-FETモジュール通則

JIS C 6115-2: pin-FETモジュール測定方法

（1）

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C 6115-1：2006

目

次

ページ

序文 ··································································································································· 1

1. 適用範囲 ························································································································ 1

2. 引用規格 ························································································································ 1

3. 定義 ······························································································································ 2

4. 個別規格 ························································································································ 3

5. 単位記号 ························································································································ 3

6. 分類 ······························································································································ 3

7. 最大定格 ························································································································ 4

8. 性能 ······························································································································ 4

8.1 電気的特性及び光学的特性 ······························································································ 4

8.2 環境及び耐久性に対する性能 ··························································································· 5

9. 外形 ······························································································································ 6

10. 測定 ···························································································································· 6

11. 表示 ···························································································································· 6

12. 取扱上の注意事項 ·········································································································· 7

12.1 静電気による破壊に対する注意 ······················································································· 7

12.2 光入力端の汚れに対する注意 ·························································································· 7

附属書A（参考）pin-FETモジュールの個別規格の様式例 ···························································· 8

附属書B（参考）pin-FETモジュール環境試験及び耐久試験用個別規格の様式例 ····························· 10

附属書C（参考）代表的特性について ····················································································· 12

附属書D（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示····················································· 13

附属書1（参考）JISと対応する国際規格との対比表 ·································································· 14

（2）

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日本工業規格

JIS

C 6115-1：2006

pin-FETモジュール通則

General rules of pin-FET modules

序文　この規格は，1999年に第1版として発行されたIEC 62007-1，Semiconductor optoelectronic devices for

fibre optic system applications−Part 1:Essential ratings and characteristicsにおいて，pin-FETモジュールを規定

している 8. pin-FET modules for fibre optic systems or subsystemsの関連部分を翻訳し，技術的内容を変更し

て作成した日本工業規格（以下，JISという。）である。

なお，この規格で，側線又は点線の下線を施してある箇所は，原国際規格にはない事項である。変更の

一覧表を，その説明を付けて，附属書1に示す。

2003年現在，伝送用光能動部品のIEC規格の管轄がTC47（半導体デバイス）からTC86（光ファイバ

システム）へ移行の途上にある。これに伴い規格体系が，TC47の部品ごとの体系からTC86の応用システ

ムごとの体系への再編が進められている。JISでは管轄がTC47のときから部品ごとに分けて順次審議して

きた経緯によって，審議済みのJISは，部品ごとの規格としてきている。今までJISで審議を行ってきた

個々の部品を除き，今後新規に検討を開始するJISについては，TC86の規格体系に合わせて整合を図って

いく予定である。

1. 適用範囲　この規格は，pin-FETモジュールの用語，記号，分類，最大定格，性能などの一般的な共

通事項について規定する。

備考1. ここでいうpin-FETモジュールとは，pin形フォトダイオード（以下，フォトダイオード），

電界効果トランジスタ又は増幅回路，並びに光ファイバとの接続部から構成されるものであ

る。

2. この規格の対応国際規格を，次に示す。

なお，対応の程度を表す記号は，ISO/IEC Guide 21に基づき，IDT(一致している)，MOD

（修正している），NEQ（同等でない）とする。

IEC 62007-1:1999，Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part

1:Essential ratings and characteristics (MOD)

2. 引用規格　次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成す

る。これらの引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。

JIS C 0025 環境試験方法（電気・電子）温度変化試験方法

JIS C 6115-2 pin-FETモジュール測定方法

JIS C 60068-2-1 環境試験方法―電気・電子―低温（耐寒性）試験方法

JIS C 60068-2-2 環境試験方法―電気・電子―高温（耐熱性）試験方法

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JIS C 60068-2-3 環境試験方法（電気・電子）高温高湿（定常）試験方法

JIS C 60068-2-6 環境試験方法―電気・電子―正弦波振動試験方法

JIS C 60068-2-7 環境試験方法―電気・電子―加速度（定常）試験方法

JIS C 60068-2-11 環境試験方法（電気・電子）塩水噴霧試験方法

JIS C 60068-2-17 環境試験方法―電気・電子―封止（気密性）試験方法

JIS C 60068-2-20 環境試験方法―電気・電子―はんだ付け試験方法

JIS C 60068-2-21 環境試験方法―電気・電子―端子強度試験方法

JIS C 60068-2-27 環境試験方法―電気・電子―衝撃試験方法

JIS C 60068-2-32 環境試験方法―電気・電子―自然落下試験方法

JIS C 60068-2-38 環境試験方法（電気・電子）温湿度組合せ（サイクル）試験方法

JIS Z 8202-0 量及び単位−第0部：一般原則

JIS Z 8202-1 量及び単位−第1部：空間及び時間

JIS Z 8202-2 量及び単位−第2部：周期現象及び関連現象

JIS Z 8202-3 量及び単位−第3部：力学

JIS Z 8202-4 量及び単位−第4部：熱

JIS Z 8202-5 量及び単位−第5部：電気及び磁気

JIS Z 8202-6 量及び単位−第6部：光及び関連する電磁放射

JIS Z 8203 国際単位系(SI)及びその使い方

3. 定義　この規格で用いる主な用語の定義は，次による。

a) 絶対最大定格 (Absolute maximum ratings) 瞬時でも超過してはならない限界値。どの一つの規格値

も超えてはならない。

b) 保存温度 [Storage temperature (Tstg )] 電源電圧及び入力信号を加えないときの許容周囲温度。

c) 動作温度 [Operating temperature (Top )] 規定の電源電圧及び入力信号を加えたとき，動作が保証で

きる周囲温度 [Operating ambient temperature (Top(a)) ] 又はケース温度 [Operating case temperature

(Top(c) ) ]。

d) 周囲温度 [Ambient temperature (Ta ) ] pin-FETモジュールの置かれている雰囲気の温度。

e) ケース温度 [Case temperature (Tc ) ] ケース上の規定の部分での温度。

電源電圧 [Supply voltages (Vsupp ) ] 動作させるために供給する電圧。

g) 光入力パワー [Radiant power into the optical port (φe ) ] 光入力端からモジュールに対して入力され

る光パワー。

h) 暗電流 [Dark current (ID ) ] 光が入力しない状態で規定の電圧を印加したときに受光素子に流れる

電流。

最小受信光入力 [Minimum detectable power (φeDmin) ] 規定の動作条件で，規定の符号誤り率又は規

定のC/Nで受信できる入力光パワーの平均値の最小値。

最大受信光入力 [Maximum detectable power (φeDmax) ] 規定の動作条件で，規定の符号誤り率で受信

できる入力光パワーの平均値の最大値。

k) 出力雑音電力密度 [Output noise power density (Pn0 ) ] 規定の動作条件での，単位周波数当たりの雑

音電力。

コーナー周波数 [Corner frequency (fcor ) ] 出力雑音電力密度のスペクトル分布において低周波領域

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において出力雑音電力密度が増大しはじめる周波数。

m) 受光感度 [Responsivity (RD ) ] 規定の波長の単位入力光パワー当たりの出力電圧の変動分又は出力

電流の変動分。モジュールとして規定する場合には出力電圧を，フォトダイオード単体で規定する場

合には出力電流を用いる。

n) 周波数応答平たん度 [Frequency response flatness (ΔRD / RD) ] 規定の周波数範囲における受光感度

の変動幅。

o) 上昇時間 [Rise time (tr ) ] 規定がない場合，入力光パルスに対する出力電気パルスが，パルス振幅の

10 ％から90 ％までに増加するのに要する時間。

p) 下降時間 [Fall time (tf ) ] 規定がない場合，入力光パルスに対する出力電気パルスが，パルス振幅の

90 ％から10 ％までに減少するのに要する時間。

q) 遮断周波数 [Cut-off frequency (fc) ] 規定動作点で正弦波による小信号の強度変調光を入力したとき

得られる信号出力の正弦波振幅が，低周波領域の十分に平たんな部分に対して3 dB低下する周波数。

r) 符号誤り率 [Bit error rate (BER ) ] 送信パルス（基準パルス），ビット数で受信パルス（被測定パル

ス）の誤りビット数を除した値。

搬送波対雑音比 [Carrier-to-noise ratio (C/N) ] 非線形処理過程を経る前の，規定の帯域における搬送

波の雑音に対する振幅の比。

マーク率 [Mark density (U ) ] 二値の信号列で論理値“1”が発生又は出現する確率。

u) 光反射減衰量 [Optical return loss (ORL ) ] 光コネクタなどから反射してくる全光パワーと入射パワ

ーとの比をデシベル表示した量。

4. 個別規格　個々のpin-FETモジュールの絶対最大定格，性能，外形などは，この規格の規定に従って，

個別規格に規定するものとする。個別規格の様式は，附属書Ａを推奨する。

5. 単位記号　この規格で用いる単位記号は，JIS Z 8202-0，JIS Z 8202-1，JIS Z 8202-2，JIS Z 8202-3，

JIS Z 8202-4，JIS Z 8202-5，JIS Z 8202-6及びJIS Z 8203による。

6. 分類 pin-FETモジュールの分類は，表1による。

表 1 pin-FETモジュールの分類

分類項目

大項目

フォトダイオード

電界効果トランジスタ

種類

小項目

結晶材料

構造

デバイス材料

構造

増幅回路

デバイス材料

回路構成

パッケージ構造

光入力端構造

端子構造

適用光ファイバ

シリコン，ゲルマニウム，インジウムガリウムひ素など

メサ形，プレーナ形など

シリコン，ガリウムひ素，インジウムガリウムひ素など

接合型電界効果トランジスタ，ショットキ障壁形電界効果トランジス

タ，MOS形電界効果トランジスタ，高電子移動度トランジスタなど

シリコン，ガリウムひ素，インジウムガリウムひ素など

高インピーダンス形，トランスインピーダンス形など

光入力窓形，光ファイバピグテイル形，光コネクタ形など

TO形，DIP形など

石英系マルチモード光ファイバ，石英系シングルモード光ファイバ，

プラスチックマルチモード光ファイバなど

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

C 6115-1：2006

7. 最大定格 pin-FETモジュールの最大定格は，絶対最大定格とする。最大定格の規定項目は，表2に

よる。保存温度，動作温度及び電源電圧の規定値は，表3〜5の値とする。個別規格における最大定格の規

定の様式は，表Ａ1を推奨する。

表 2 絶対最大定格

項目

温度

電圧

はんだ付け温度

入力光パワー(2)

記号

保存温度

動作温度

電源電圧(1)

条件

時間

波長

最大定格値

単位

注(1) 周囲温度は，規定がない限り25 ℃とする。

(2) 必要があれば規定する。

備考　絶対最大定格値の欄で下線の部分は，通常記入する。

表 3 保存温度（Tstg）

単位 ℃

下限値

上限値

表 4 動作温度（Top又はTa）

単位 ℃

下限値

上限値

表 5 電源電圧（Vsupp）

単位 ℃

下限値

上限値

備考 0Vは最大定格を範囲で表す場合に，最大値又は最小値として使

用する。

8. 性能

8.1

電気的特性及び光学的特性 pin-FETモジュールの電気的特性及び光学的特性の規定項目は，表6に

よる。特性を測定する条件として与える符号誤り率BER及びマーク率Uは，それぞれ表7及び表8の値

を推奨する。個別規格の様式は表A.2を，また，代表的特性については附属書Cを推奨する。

表 6 電気的特性及び光学的特性

項目

最小受信光入力(3)，(5)

最小受信光入力(4)，(5)

記号

測定条件

最小値

標準値

最大値

単位

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表 6 電気的特性及び光学的特性（続き）

項目

最大受信光入力(3)，(5)

受光感度(5)，(6)

受光感度(5)，(7)

暗電流(7)

上昇時間(8)

下降時間(8)

遮断周波数(8)

周波数応答平たん度(9)

出力雑音電力密度(9)

低周波雑音(9)

コーナ周波数(9)

光反射減衰量(9)

記号

測定条件

最小値

標準値

最大値

単位

注(3) ディジタル用途の場合。

(4) アナログ用途の場合。

(5) 複数の波長で規定することが望ましい。

(6) モジュール全体としての特性。

(7) フォトダイオード単体としての特性。単体として測定できない場合には省略してもよい。

(8) 上昇時間及び下降時間，又は遮断周波数のいずれかを規定する。

(9) 必要に応じて規定する。

備考1. 周囲温度又はケース温度は，規定のない限り，25 ℃とする。

2. 最大値，標準値及び最小値の欄で下線の部分は通常記入する。

3. 各項目の測定方法は，別途規定しない限りJIS C 6115-2による。

表 7 特性を規定する測定条件として与える符号誤り率（BER）

符号誤り率

表 8 特性を規定する測定条件として与えるマーク率（U）

単位　％

マーク率

8.2

環境及び耐久性に対する性能 pin-FETモジュールの環境及び耐久性試験の規定項目は，表9による。

個別規格の様式及び合否判定基準については，表B.1及び表B.2を推奨する。

表 9 環境試験及び耐久性試験

項目

はんだ耐熱性

温度サイクル

熱衝撃

試験条件

温度　＿ ± ＿ ℃

低温　＿ ℃，高温　＿ ℃

保持時間　＿ min，

移動時間　＿ min，回数　＿　回

高温　＿ ℃，保持時間　＿ min，

低温　＿ ℃，保持時間　＿ min，

移動時間　＿ s，回数　＿　回

適用(10)

抜取方式

検査水準

引用規格

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表 9 環境試験及び耐久性試験（続き）

項目

温湿度サイクル

気密性(11)

自然落下(12)

衝撃(12)

定加速度(13)

振動

端子強度

塩水噴霧(13)

高温保存

低温保存

動作寿命

ピグテイル強度(14)

耐湿性

試験条件

適用(10)

高温　＿ ℃，高温側相対湿度　＿　％，

保持時間　＿ min，

低温　＿ ℃ 低温側相対湿度　＿　％，

保持時間　＿ min，

移動時間　＿ min，回数　＿　回

加圧圧力　＿ Pa，

加圧時間　＿ h（必要がある場合）

高さ　＿ cm，回数　＿　回

方向　＿　，最高加速度　＿ m/s2，

パルス幅　＿ ms，回数　＿　回

方向　＿　，加速度　＿ m/s2，

パルス幅　＿ ms，回数　＿　回

周波数　＿〜＿ Hz，

全振幅　又は　加速度　＿

方向　＿　，時間　＿ h

荷重　＿ N，回数　＿　回

時間　＿ h

温度　＿ ℃，時間　＿ h

電源電圧＿V

周囲温度又はケース温度＿ ℃，

光入力　＿ dBm，

時間　＿ h

引張力＿ N

曲げ半径＿ mm

温度　＿ ℃，相対湿度　＿　％，

時間　＿ h

抜取方式

検査水準 AQL

引用規格

注(10) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。

(11) 気密構造形に適用する。

(12) 自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。

(13) 必要に応じて実施する。

(14) 光ファイバピグテイル形に適用する。

備考　試験条件の欄で下線の部分は，条件値を記入する。

9. 外形　外形は，個別規格の規定による。

10. 測定 pin-FETモジュールの電気的･光学的特性の測定は，個別規格に規定がない限りJIS C 6115-2に

よる。

11. 表示 pin-FETモジュールには，次の項目を表示しなければならない。ただし，個々のpin-FETモジ

ュールに表示することが困難な場合には，包装に表示してもよい。

なお，d)の静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示に用いる記号については，附属書Ｄを推奨する。

a) 形名（製造業者の指定による。）

b) 製造業者名又はその略号

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c) 製造年月若しくは製造ロット番号又はそれらの略号

d) 静電気によって破壊するおそれがあり，取扱上の注意を必要とするデバイスであることを表示する記

号

e) その他必要な事項

12. 取扱上の注意事項

12.1 静電気による破壊に対する注意　静電気破壊のおそれがあるpin-FETモジュールを取り扱うには，

次の事項に注意する。

a) 移送，保管及び放置の場合は，静電気導電材料，帯電防止処理材料などを用い，静電気の帯電を防止

する。

b) 測定は，静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は50 ％程度が望ましい。また，静電気の発生を

防ぐためには，取扱者，工具及び測定器類の電位と被測定pin-FETモジュールを同電位にすることが

望ましい。

12.2 光入力端の汚れに対する注意 pin-FETモジュールを取り扱うには，光入力端が汚れないように注意

する。汚れた場合は，アルコールなどで汚れを取り除く。

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附属書A（参考）pin-FETモジュールの個別規格の様式例

1. 適用範囲　この規格は，光入力取り込み部として［a)］を備え，受光素子が［b)］，電子回路部が［c)］

からなる，主に［d)］，［e)］光伝送用途に設計されたpin-FETモジュールについて規定する。

分類例 a) 光入力窓，光ファイバピグテイル，光コネクタなど

b) pin形Siフォトダイオード（Si-pin-PD），pin形Geフォトダイオード（Ge-pin-PD），pin形

InGaAsフォトダイオード（InGaAs-pin-PD）など

c) GaAs MESFET，GaAs/AlGaAs HEMT，Si MOSFET，GaAsトランスインピーダンスアンプ

など

d) 800 nm帯用，1 300 nm帯用，1 500 nm帯用など

e) ディジタル，アナログなど

2. 一般事項　一般事項は，個別仕様による。

3. 絶対最大定格

表A.1 絶対最大定格

項目

温度

電圧

はんだ付け温度

入力光パワー (2)

記号

保存温度

動作温度

電源電圧(1)

条件

最大定格値

単位

時間

波長

注(1) 周囲温度は，規定がない限り25 ℃とする。

(2) 必要があれば規定する。

備考　絶対最大定格値の欄で下線の部分は，通常記入する。

4. 電気特性及び光学的特性

表A.2 電気的特性及び光学的特性

項

目

最小受信光入力(3)，(5)

最小受信光入力(4)，(5)

最大受信光入力(3)，(5)

受光感度(5)，(6)

受光感度(5)，(7)

暗電流(7)

上昇時間(8)

下降時間(8)

遮断周波数(8)

周波数応答平たん度(9)

出力雑音電力密度(9)

低周波雑音(9)

コーナ周波数(9)

光反射減衰量(9)

記号

注(3) ディジタル用途の場合。

(4) アナログ用途の場合。

測定条件

最小値

標準値

最大値

単位

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

C 6115-1：2006

(5) 複数の波長で規定することが望ましい。

(6) モジュール全体としての特性。

(7) フォトダイオード単体としての特性。単体として測定できない場合には省略してもよい。

(8) 上昇時間及び下降時間，又は遮断周波数のいずれかを規定する。

(9) 必要に応じて規定する。

備考1. 周囲温度又はケース温度は，規定のない限り，25 ℃とする。

2. 最大値，標準値及び最小値の欄で下線の部分は通常記入する。

3. 各項目の測定方法は，特に規定しない限りJIS C 6115-2による。

5. 外形及び端子接続

5.1

外形

外形図

5.2

端子接続

端子

端子名

ケース

5.3

光コネクタ　適合する光コネクタは，個別仕様による。

5.4

光ファイバ　適合する光ファイバは，個別仕様による。

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附属書B（参考）pin-FETモジュール環境試験及び耐久試験用個別規格の様

式例

1. 環境試験及び耐久性試験

表B.1 環境試験及び耐久性試験

項目

はんだ耐熱性

温度サイクル

熱衝撃

温湿度サイクル

気密性(2)

自然落下(3)

衝撃(3)

定加速度(4)

振動

端子強度

塩水噴霧(4)

高温保存

低温保存

動作寿命

ピグテイル強度(5)

耐湿性

試験条件

温度　＿ ± ＿ ℃

低温　＿ ℃，高温　＿ ℃

保持時間　＿ min，

移動時間　＿ min，回数　＿　回

高温　＿ ℃，保持時間　＿ min，

低温　＿ ℃，保持時間　＿ min，

移動時間　＿ s，回数　＿　回

高温　＿ ℃，高温側相対湿度　＿　％，

保持時間　＿ min，

低温　＿ ℃ 低温側相対湿度　＿　％，

保持時間　＿ min，

移動時間　＿ min，回数　＿　回

加圧圧力　＿ Pa，

加圧時間　＿ h（必要がある場合）

高さ　＿ cm，回数　＿　回

方向　＿　，最高加速度　＿ m/s2，

パルス幅　＿ ms，回数　＿　回

方向　＿　，加速度　＿ m/s2，

パルス幅　＿ ms，回数　＿　回

周波数　＿〜＿ Hz，

全振幅　又は　加速度　＿

方向　＿　，時間　＿ h

荷重　＿ N，回数　＿　回

時間　＿ h

温度　＿ ℃，時間　＿ h

電源電圧＿V

周囲温度又はケース温度＿ ℃，

光入力　＿ dBm，

時間　＿ h

引張力＿ N

曲げ半径＿ mm

温度　＿ ℃，相対湿度　＿　％，

時間　＿ h

注(1) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。

(2) 気密構造形に適用する。

(3) 自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。

(4) 必要に応じて実施する。

(5) 光ファイバピグテイル形に適用する。

備考　試験条件の欄で下線の部分は，条件値を記入する。

適用(1)

抜取方式

検査水準

引用規格

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

C 6115-1：2006

2. 合否判定基準

表B.2 合否判定基準

項目

記号

最小受信光入力(6)，(8) φeDmin(D)

最小受信光入力(7)，(8) φeDmin(A)

受光感度(9)，(11)

受光感度(10)，(11)

暗電流(10)

測定条件

電源電圧＿V

符号誤り率＿

波長＿nm

電源電圧＿V

波長＿nm

電源電圧＿V

波長＿nm

電源電圧＿V

波長＿nm

電源電圧＿V

許容値(12)

最小値

最大値

単位

許容変

動量(12)

単位

測定方法

注(6) ディジタル用途の場合。

(7) アナログ用途の場合。

(8) 用途に応じていずれかを選択する。

(9) モジュール全体としての特性。

(10) フォトダイオード単体としての特性。単体として測定できない場合には省略してもよい。

(11) いずれかを選択する。

(12) 必要に応じていずれか又は双方を選択する。

備考1. 周囲温度又はケース温度は，規定のない限り，25 ℃とする。

2. 最大値，最小値及び許容変動量の欄で下線の部分は通常記入する。

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

C 6115-1：2006

附属書C（参考）代表的特性について

ある物理量に依存する特性のように，図で示すことでpin-FETモジュールの性能の把握が容易になる特

性に関して，製造業者は，同一種類のpin-FETモジュールについて平均的に得られる特性を，代表的特性

として図示することが望ましい。

例　最大定格値に関する軽減曲線

最小受信光入力の動作速度依存性

受光感度の波長に対する依存性

暗電流の逆電圧に対する依存性

暗電流の温度に対する依存性

推奨等化回路　など

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

C 6115-1：2006

附属書D（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示

静電気によって破壊するおそれがあり，取扱上の注意を必要とするデバイスであることを表示する記号

は，次による。

1. 記号の使用　実用上適している内装又は可能ならばデバイス上に表示する。データシート上，保管容

器，特別な防護用の包みなどに表示する。

図Ｄ2は，デバイス上に縮小して使用する場合に簡略化した記号である。

2. 記号の色　記号の色は，次による。

記号の種類

図Ｄ1

図Ｄ2

図Ｄ3

色

下地は識別できれば単一色で何色でもよい。

ただし，赤色は除く。

下地は黄色とする。文字及び記号は黒色とする。

図D.1 記号

図D.2 縮小する場合の簡略化した記号

図D.3 文字と組み合わせた記号

備考

主に印刷によって表示する。

主にラベルによって表示する。

C 6115-1：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

附属書1（参考）JISと対応する国際規格との対比表

JIS C 6115-1:2006 pin-FETモジュール通則

(Ⅰ) JISの規定

項目

番号

1.適用範

囲

(Ⅱ) 国際

規格番号

IEC 62007-1:1999，光ファイバ伝送システム用光電子半導体デバイスー第1

部：基本定格及び特性

(Ⅲ) 国際規格の規定

内容

pin-FETモジュールの用 IEC

語，記号，分類，最大定格，

性能などの一般的な共通

事項について規定。

2.引用規

格

項目

番号

3.定義

絶対最大定格，電気的特

性，光学的特性などの各項

目において使用される用

語を定義。

(Ⅳ) JISと国際規格との技術的差異

の項目ごとの評価及びその内容

表示箇所：本体

表示方法：側線又は点線の下線

内容

項目ごと

の評価

MOD/削

除

(Ⅴ) JISと国際規格との技術的差異の理由

及び今後の対策

技術的差異の内容

光能動部品全般

（pin-FETモジュー

ル，光ファイバ伝送用

のレーザモジュー及

びLED，受光素子な

ど）に広く適用する記

号，分類，最大定格，

性能などの一般的な

共通事項を規定。

MOD/追

加

JISは，pin-FETモジュ

ールに限定して規定。

削除した部分は別のJISとして制定済

み又は制定予定である［詳細は，この

対比表の（Ⅰ）JISの規定の項目番号最

後の箇所に記載］。

環境試験規格及び単

位記号に関するJIS規

格を追加

通常一般的に広く使用されている規定

であり，商取引上必要なので追加。IEC

規格への提案を図る。

JISは，レーザ関連製

品でないために削除。

pin-FETモジュールに

関する用語として，受

光感度を定義。一般的

な用語の定義につい

ては別規格（IEC

60747-5-1）としてい

る。

MOD/削

除

MOD/追

加

追加項目：最小受信光　通常一般的に広く使用され，かつ，商

入力，最大受信光入

取引上必要な用語を追加。IEC規格へ

力，出力雑音電力密

の追加提案を図る。

度，コーナー周波数，

周波数応答平たん度，

符号誤り率，搬送波対

雑音比，マーク率，光

反射減衰量

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

3.定義

MOD/削

除

C 6115-1：2006

削除項目：APD，相対

強度雑音，スペクトル

シフト，入力端反射係

数，過剰雑音係数。

対応するIEC規格に

記載されている用語

のほか，一般的な用語

はIEC 60747-5-1を参

照して作成。

4.個別規

格

個別のpin-FETモジュール

規格において規定すべき

内容を規定。

MOD/追

加

個々のモジュールの具体的な詳細は個

別規格で規定するように明記。

個別規格は，国内外で一般的に広く使

用されており，商習慣上必要。IEC規

格への追加提案を図る。

5.単位記

号

この規格で用いる単位記

号を規定する規格を規定。

MOD/追

加

6.分類

使用するデバイスの材料

及び構造，パッケージ構

造，適用光ファイバなどに

よるpin-FETモジュールの

分類ついて規定。

JISとほぼ同じ。

通常一般的に広く使用されている単位

記号であり商取引上必要。IEC規格へ

の追加提案を図る。

最近の技術の進展に合わせてIEC規格

の内容を見直した。IEC規格への提案

を図る。

最大定格として規定すべ

き項目並びに，最大定格と

して用いるべき，保存温

度，動作温度及び電源電圧

の数値を規定。

JISとほぼ同じ。

7.最大定

格

MOD/追

加

追加項目：FET及び増

幅回路結晶材料とし

てのインジウムガリ

ウムひ素，FET構造と

してのショットキ障

壁形及びMOS形，パ

ッケージ構造として

の光入力窓形，TO形

又はDIP形，など

MOD/追

加

最大定格として用い

るべき，保存温度，動

作温度及び電源電圧

に関する数値規定。

国内外で一般的に広く使用されてお

り，かつ，商習慣上必要。IEC規格へ

の提案を図る。

MOD/削

除

振動，衝撃及びピグテ

イル強度。

8.2として独立させて記載した。

C 6115-1：2006

8.性能

8.1電気

的特性及

び光学的

特性

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

電気的特性及び光学的特

性について規定。

最大定格項目を規定。

操作条件を規定。

電気的特性及び光学

的特性項目を規定。

MOD/追

加

追加項目：特性項目と

して，最大受信光入力

と光反射減衰量とを

追加。符号誤り率測定

時に規定すべき条件

としてマーク率を追

加。

国内外で一般的に広く使用されてお

り，かつ，商習慣上必要。IEC規格へ

の提案を図る。

MOD/追

加

追加項目：環境及び耐

久性に対する性能。

MOD/削

除

削除項目：オフセｯト

電圧。

国内外で一般的に広く使用されてお

り，かつ，商習慣上必要。IEC規格へ

の提案を図る。

一般的には使用されていない。IEC規

格への提案を図る。

8.2環境

及び耐久

性に対す

る性能

環境条件に対する性能に

ついて規定。

9.外形

外形は個別規格によると

規定。

MOD/追

加

外形についての規定

は通常一般的に広く

適用され，かつ，商取

引上必要であるため

追加。ただし，具体的

な詳細については，個

別規格で規定するよ

うに明記。

10.測定

測定方法としてJIS C

6115-2を使用すると規定。

（参考）

測定方法は，該当する

IEC規格に準拠すると

規定。

MOD/追

加

MOD/削

除

本体は，複数の光能動

部品の測定を規定す

るIEC規格から，

pin-FETモジュールに

ついての記載内容だ

けを元に作成したJIS

である。

11.表示

pin-FETモジュールに表示

する項目を規定している。

MOD/追

加

現在測定方法に関するIEC規格の改正

が検討されているところであり，IEC

規格への提案を図る。

JISとして必要な規定項目を追加。IEC

規格への提案を図る。

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

12.取扱

い上の注

意事項

pin-FETモジュールの取扱

いに関する注意事項を規

定。

JISと国際規格との対応の程度の全体評価：MOD

MOD/追

加

発光ダイオードﾞの規

MOD/削

定。

除

レーザモジュールの

規定。

pin型受光素子の規定。

APDの規定。

光ファイバ増幅器用

レーザモジュールの

規定。

アナログ光伝送用レ

ーザモジュールの規

定。

LEDアレイの規定。

ディジタル光伝送用

光変調器の規定。

TOパッケージ入りの

レーザダイオードの

規定。

デュプレクサモジュ

ールの規定。

C 6115-1：2006

JISとして必要な規定項目を追加。IEC

規格への提案を図る。

IEC規格では各章がそ

れぞれ別々の部品に

対応しており，全体と

して複数の光能動部

品に対する規定とな

っている。

光ファイバ増幅器用

レーザモジュール以

外の記載内容を削除

した。

削除した部分は，別のJISとして制定済

み又は制定予定である。

制定済み：

JISC5940（光伝送用半導体レーザ）

JISC5942（光伝送用半導体レーザモジ

ュール）

JISC5950（光伝送用発光ダイオード）

JISC5990（光伝送用フォトダイオード）

制定予定：

・光ファイバ増幅器用半導体レーザモ

ジュール

・光変調器モジュール

・デュプレクサモジュール

・LEDアレイ