日本工業規格

JIS

K 0148

：2005

表面化学分析－全反射蛍光Ｘ線分析法

(TXRF)によるシリコンウェーハ

表面汚染元素の定量方法

正　誤　票

区分

本体

位　置

附属書

附属書

誤

正

：試料

に入射する

線の質

量吸収係数［2］

：試料

に入射する

線の質

量吸収係数［1］

：元素

の当該殻の吸収端における

ジャンプ比［2]

：元素

の当該殻の吸収端における

ジャンプ比［1]

：元素

の当該殻の蛍光収率［2,3,4]

：元素

の当該殻の蛍光収率［1,2,3]

：測定されたスペクトル

の相対遷移

確率［5］

：測定されたスペクトル

の相対遷移

確率［4］

フィルム状汚染のアングルスキャン

フィルム状汚染のアングルスキャン

粒子状汚染のアングルスキャン［12］

粒子状汚染のアングルスキャン［11］

平成

17

年

10

月

3

日作成