Comsol学习笔记：复合薄膜体声波谐振器

体声波 (BAW) 谐振器在射频应用中可用作窄带滤波器。与传统的陶瓷电磁谐振器相比，其主要优势在于，由于声波长比电磁波长小得多，BAW 谐振器可以做得更小。

除了所需的体声波模式外，谐振器结构还可以包含许多间距较窄的寄生波模式。设计目标通常是尽可能提高主要元件的质量，同时减小寄生波模式的影响。

示例介绍如何使用特征频率分析和频率响应分析在二维模式下对薄膜体声波谐振器进行建模。

本次学习相关资源链接：

https://pan.xunlei.com/s/VOcjWgoJmel012zpQMBjZJtDA1?pwd=qvat#

1.选择相关物理场和研究

模型向导，选择二维，物理场在结构力学里找到压电器件，研究选择特征频率。

2.导入模型

模型导入后，看似简单，实际细分好几个区域，可以在组件定义中修改视图比例，将视图比例设置为自动，然后点击一下上方的更新。

可以看到把原来那些很薄的结构拉伸成一个放大状的形态，其实相当于各向异性的一个放大，方便我们进行选择。（尺寸没有变化）

3.固体力学和静电区域划分

右键固体力学，添加材料模型，线弹性材料2。

这个线弹性材料用来定义底座，也就是硅基，是一个各向异性的材料。（上面的线弹性材料是各向同性的）

固体力学，里面所有的地方都是固体力学。

静电只有上下极板之间的这一部分。（3、6、10这一部分是我们的静电场）

设置好静电之后，线弹性材料1只剩下上下极板了。由金属铝来作为上下极板的材料。

另外注意压电材料里面，采取的基矢坐标系就是用默认的XZ平面系统。

压电里面默认的极化方向都是材料的x3方向，这里极化方向就是y方向了。

压电材料要把上下极板的部分给去掉，对应的也是两个极板之间的地方。压电的本构关系在这里就用默认的应力-电荷型，剩余电位移也没有额外的剩余电位移，为0就好。极板中间的压电材料待会会选择氧化锌。

同时注意一下这是一个二维模型，要定义面外厚度，我们这里定为1.7mm。这个器件本身就比较小。

静电的面外厚度也定义为1.7mm。厚度的设置都在左侧的主节点上进行设置。

4.添加材料

右键材料，从库中添加材料。

找到MEMS文件夹。

找到铝，双击或者单击点击上方的添加到组件。

会把铝设置到所有地方，不用去管它，接下来再设置其他的材料就会慢慢的把不该是铝的地方给覆盖掉。

添加硅，选择anisotropic，也就是各向异性的，双击。

选择底部的三块区域。

最后选择压电文件夹，倒数第二个氧化锌，双击，选中两极板之间的区域（3、6、10）。

5.固体力学边界条件的设置

右键固体力学，选择固定约束，固定约束为两侧所有的边界，如果选不上，可以滚动鼠标滚轮进行高亮切换。

右键压电材料，添加一个机械阻尼。

阻尼类型选择各向同性损耗因子，各向同性损耗因子使用自己定义的，如果选择来自材料的话，需要到材料中补充各向同性损耗因子，改成千分之一。

再添加一个介电损耗，作为一个介质，本身在极化的时候并不是把所有的应变、振动都转化成电信号，也不是所有给出的电压，产生的电势能都能变成弹性势能，这个里面是有介电损耗存在的，所以定义一个介电损耗，损耗因子为0.01。

6.静电场的设置

右键静电，选择接地

接地端是下面铝薄层的上表面。

再设置一个终端，不要选择实心的终端，要选择边界上的终端，选择上面铝薄片的下表面作为终端，这个终端类型选择电压，默认的1V就可以。

到此为止我们的物理场绝大部分内容都设置完成了，多物理场中的压电效应是默认的，如果选择了哪些地方是压电材料，哪些地方是静电，那么压电效应就会自动的把压电耦合对应的区域选中，不需要手动设置，是自动生成的。

在这里面还少了一个东西，完美匹配层，完美匹配层经常用在弹性介质、带波动信号的流体介质里面，起到的作用是吸收余波，这个复合薄膜体声波谐振器分析的是下图里面中间非常小的一块：

周围还有很大的部分我们没有放到模型里面，没有关系，因为这个东西相对于我们这个小片来说非常的大，所以它向四周传播的弹性波相当于向无限远处传播，并且逐渐耗散掉的，所以我们在这设置一个吸收波的边界，就是完美匹配层，让他没有回波产生。

右键定义，选择完美匹配层（pml层）。

选择两侧的区域。（结构如果是圆形或者半圆形的，要把笛卡尔改成球面或者柱面，因为完美匹配层吸波的方向类似一个正交的，相当于把波分解为切向和法向，如果是球面还采用正交的笛卡尔的话，可能会产生一些计算上的报错）

7.网格构建

我们的几何形状是非常规则的，所以可以做一个非常规则的网格剖分。

右键网格，选择映射。

映射需要去分配一下疏密程度，比如说完美匹配层和中间的网格数量肯定是不一样的，上面的压电片和底下的可能也不一样。

右键映射，选择分布。

沿完美匹配层厚度方向是5个单元厚度，中间的部分设置100个单元，沿压电片厚度方向有3个单元，沿硅基的厚度选择2，点击全部构建，网格图示如下：

8.分析特征频率

特征频率在这里面直接计算的话很可能搜索到的特征频率并不是工作区间的特征频率，所以最好找一个适合它的基准点进行搜索，这个基准点不用自己去找，在这个示例里面直接输入特征频率搜索基准值。

点击计算，可以得到计算出的六种不同的特征频率。

在派升值里面可以具体的看特征频率和特征频率相关的Q因子，还有衰减因子。

右键派升值，选择全局计算。

在全局计算里面把特征频率改成来自列表，选择来自列表以后会默认把所有的特征频率都选上，我们只选其中的第一个，高亮显示，在下面的表达式里面选择替换表达式，找到固体力学-全局，选择Q_eig-特征值质量因子

再点击加号，添加表达式，如下：

点击计算。

把视图调整回来，特征频率的总位移图，只是表达一个趋势，不是实际的情况，如果想看真是唯一需要做扫频计算。

9.研究2：频域计算

在根节点上右键，添加研究；或者从上方研究工具栏里面，添加研究。

会在最右面出现研究的列表框，选择频域。

在频域里面要做扫频计算，先选择范围，要把单位补充完整[MHz]

这就是我们扫频的范围，其他的都保持默认，点击计算。

把变形的比例换成一比一的，可以看到不是很夸张，真实的位移。

我们在频域节里面希望能看到导纳参数随着频率变化而变化，希望看到品质因子是怎么去随频率变化而变化的。

新建一维绘图组，标签改为导纳，数据集来自研究2，右键添加全局：

导纳主要想看大小，在其前方输入abs，表示绝对值，横轴单位改成MHz，点击绘制。

品质因子曲线：

品质因子相当于能量的集中程度，或者说能量集中到共振频率上的集中程度、衰减的幅度。