Micron HBM4ピン速度要求を上回る性能！？

Micronは1Q FY26で過去最高の売上・EPSを記録する見通しを示す中、決算説明会でHBM4の進展を強調した。

顧客向けに出荷したサンプルは帯域幅2.8TBps超、ピン速度11Gbps超を達成し、競合を上回る性能を示したとZDNetや朝鮮日報などが報じている。

一方で市場では、MicronのHBM4は8Gbps設計に留まるとの噂があり、サムスンやSK hynixが10Gbps超を目指す中で劣後するとの懸念が出ていた。

実際、サムスンは1c DRAMと4nmロジックを組み合わせたベースダイ、SK hynixはTSMC委託を活用するなど外部ファウンドリを利用するが、MicronはDRAMとベースダイを自社一貫生産とする戦略を採る。

SK hynixは9月にHBM4開発完了を公表し、JEDEC標準（8Gbps）を超える10Gbps超で量産準備中と発表した。

これに対しMicronは、自社の1β DRAM、CMOSベースダイ、先端パッケージング技術による業界トップ水準の性能をデータで提示し、懸念を一蹴した。

さらに、CEOのサンジャイ・メロトラ氏は、HBM4は2026年に本格量産を進める主力製品であり、2027年投入予定のHBM4EではTSMCと協業し、標準品に加えカスタム版を展開、より高い利益率を狙うと説明した。

MicronのHBM顧客は6社に拡大し、2026年のHBM3E供給の大半はすでに価格契約済み。
現在HBM4の仕様・供給量の交渉を進めており、2026年分は数か月以内に完売する見通しとしている。