2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

日本工業規格

JIS

H 0611-1994

シリコンウェーハの厚さ，厚さむら

及びボウの測定方法

Methods of measurement of thickness, thickness variation

and bow for silicon wafer

1. 適用範囲　この規格は，シリコン単結晶ウェーハ（以下，ウェーハという。）の厚さ，厚さむら及びボ

ウの測定方法について規定する。

備考　この規格の引用規格を，次に示す。

JIS B 7503 ダイヤルゲージ

JIS B 7536 電気マイクロメータ

JIS B 9920 クリーンルーム中における浮遊微粒子の濃度測定方法及びクリーンルームの空気清浄度

の評価方法

2. 用語の定義　この規格で用いる主な用語の定義は，次による。

(1) 厚さ　ウェーハの表面，裏面の相対位置の間の距離。

(2) 厚さむら　ウェーハ面内の多数の点の厚さ測定値中の最大値と最小値との差。

備考　この規格では，7.2で規定する5点の測定値の最大値と最小値との差で表示する。

(3) おもて面　ウェーハに表裏の区別がある場合，デバイスが作り込まれる側の面。

(4) ボウ (bow) ウェーハの中央部で評価した反りの量。ウェーハの表面と裏面からの等距離点を結んだ

中間面の凹凸の変位。

備考　この規格では，ウェーハ面の中央位置での凹凸の変位で表示する。

3. 測定環境　測定環境は，清浄度がJIS B 9920に規定するクラス7，又はそれ以上の清浄な雰囲気で行

う。

測定の許容温度範囲は，23〜25℃とする。

4. 試料　試料は，円形又はこれに準じるウェーハで，表面が清浄なものとする。

5. 厚さ及び厚さむらの測定用具

5.1

測定器　接触式測定器は，JIS B 7536に規定の電気マイクロメータ，JIS B 7503に規定のダイヤルゲ

ージ又はデジタルゲージで目盛が1μmのものを使用する。

非接触測定器は，静電容量方式，超音波方式，オプトマイクロメータ方式などの装置を使用する。

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

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H 0611-1994

5.2

測定台　接触式の測定台は，直径8mm以下の平面アンビル，又は半径3.5mm以上の球面アンビル

とする。

非接触式の測定台は，測定器附属のウェーハ保持台とする。

6. ボウの測定用具

6.1

測定器　測定器は，5.1に規定の接触式測定器で目盛が1μm，測定圧784mN以下のものを使用する。

6.2

測定台　測定台は，図1のような構造の三球座，又はこれに準じる構造のものを使用する。

球座直径は，ウェーハの公称直径より6mm小さい直径とする。

図1 三球座

7. 測定位置

7.1

ウェーハの厚さ　ウェーハの厚さは，ウェーハの中心点で測定する。

7.2

厚さむら　厚さむらの測定は，次のいずれかによる。

(1) ウェーハのオリエンテーションフラット面に平行な直径と，これに直交する直径上の外周から5 mm

内側の4点及び中心点の合計5点とする［図2(1)参照］。

(2) おもて面のオリエンテーションフラット面に垂直な直径に対し30°の傾斜をもつ直径とこれに垂直

な直径上の外周から6mm内側の4点及び中心点の合計5点とする［図2(2)参照］。

(3) オリエンテーションフラットやマークがない場合は，任意の直交直径上の外周から5mm内側の4点

と中心点の合計5点とする。

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H 0611-1994

図2 測定位置

8. 測定操作

8.1

厚さ及び厚さむら　接触式測定器の場合は，図3のように測定アンビルの上にウェーハを置き，ウ

ェーハに測定子を当てμm単位で測定する。

非接触式測定器の場合は，測定器を規定された手順で調整後μm単位で測定する。

図3 厚さ及び厚さむらの測定図

8.2

ボウ　ボウは，測定台の中心が測定子先端と一致するように，又は三球座を結ぶ一辺が測定者に平

行に近接するように固定する。ウェーハのオリエンテーションフラットが測定者に近接平行になる方向で

測定台の中心におもて面を上にしてウェーハを置き，ウェーハの中心高さXをμm単位で測定する。次に，

ウェーハをオリエンテーションフラットが同じ側になるように裏返し，両面の球座接点が相対するような

位置に置き，裏面の中心の高さYをμm単位で測定する（図4参照）。

ボウB（μm単位）は，次の式によって算出する。

B

=

( X

−

Y

)

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H 0611-1994

図4 ボウの測定図

JIS改正原案作成委員会　構成表

氏名

（委員長）

（事務局）

水　間　基一郎

徳　丸　洋　三

垂　井　康　夫

新　井　敏　弘

三　宅　信　弘

稲　葉　裕　俊

高　須　新一郎

河　野　光　雄

中　村　由　樹

南　秀　旻

白　井　省　三

宮　内　慎

佐々木　健　太

中　西　俊　郎

宮　武　久　和

大　村　雅　紀

小　林　則　夫

清　水　博　文

日下部　兼　治

八　木　俊　直

豊　川　文　敏

安　楽　一　宏

宮　下　敏　也

所属

三菱マテリアルシリコン株式会社

中央大学

東京農工大学

筑波大学

通商産業省機械情報産業局

工業技術院標準部

東芝セラミックス株式会社

小松電子金属株式会社

ニッテツ電子株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社

信越半導体株式会社

九州電子金属株式会社

ヒュルスジャパン株式会社

株式会社富士通研究所

シャープ株式会社

株式会社東芝

株式会社日立製作所

三菱電機株式会社

松下電子工業株式会社

日本電気株式会社

沖電気工業株式会社

社団法人日本電子工業振興協会