高精度电流检测电路设计

高精度电流检测电路的设计与评估

引言

如今，电流检测电路正变得越来越不可或缺[1,2]。它是笔记本电脑、手机、个人数字助理（PDA）以及所有电池供电便携设备应用中的关键组成部分[3]。用于存储器的电流检测电路通常要求高速和低功耗[4,5]；因此，检测放大器的低电源电压和高速性能变得至关重要[6]。另一方面，用于开关模式转换器的电流检测电路则需要高精度和宽输入共模（CM）范围，因而对高压、高增益和低输入失调的电流检测放大器（CSA）的需求日益增加[7,8]。同样，用于电池电流监测器的电流检测电路也要求高精度和快速瞬态响应。

与多相转换器中使用的检测放大器不同，电池供电电流检测电路[9]并未采用与功率晶体管（主FET）并联连接的检测场效应晶体管（FET）。相反，电流是通过连接在电池和负载之间的串联电流检测电阻进行检测的，如图1所示。

图1展示了应用于电池供电系统的电流检测电路结构。电流检测电阻RSENSE串联在电池的正极端子与负载之间：该结构被称为高端电流检测。V BAT可提供1.6至28V范围的电压，这对CSA需要抑制的共模输入电压而言较大。笔记本电脑电池的典型负载电流从10毫安（待机）变化到10安（满载）。输出电压V OUT将被传输至模数转换器（ADC）以进行系统调节，因为VOUT能准确表示 I LOAD[10,11]的变化。RS+和RS−是R SENSE的两个端子， R SENSE上的电压降为 V RS+ −V RS− 。该电流检测结构的主要原理基于图1所示的反馈环路。由于PMOS（p沟道金属氧化物半导体）晶体管是一种具有高阻抗栅极端子的电压控制器件，CSA的两个输入端电压将被调节至相同。

由(V RS+ −V RS−)/R1产生的额外电流将流过PMOS晶体管并进入R OUT。本文提出了一种面向电池供电系统应用的高精度、低增益误差、快速响应的电流检测结构。第2节介绍了所提出的电流检测结构的详细电路描述与实现。第3节描述了增益误差与环路补偿的分析。第4节给出了仿真与测量结果。结论在第5节中给出。

2. 电路描述

在本节中，给出了提出的电流检测电路的原理图。重点将放在结构的设计与分析、晶体管和电阻的宽长比以及负载电流的检测方法上。相同的原理也适用于文献[12,13]中描述的低边检测拓扑结构。

从图1可以看出，随着RSENSE的增大，电池电压降将增加。因此，为了使电池上的电压损耗最小，需要选择最小的R SENSE值。RSENSE的选择基于

$$
R_{SENSE} = \frac{V_{OUT(max)}}{Gain \times I_{LOAD(max)}}
$$

其中增益是电流检测电路的增益，ILOAD(max)是通过负载的电流的最大值。VOUT不应超过正常的电压容差。

图2展示了提出的电流检测电路的原理图。对于对称结构，我们设置了相同的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比例，例如P1= P2, P3= P4,和N 3= N 4,，并设置电阻值相同，即R1= R2 , R7= R8 , R3=R4 ,和R5=R6。详细信息见表I和表II。R1和R2为内部替代电阻。Gm（输入阻抗）的输入端子为VC 和V D。输出V E将直接驱动反馈晶体管M0的栅极。

当I LOAD 流经R SENSE 时，在RS+和RS−之间产生电压降，导致V A 处电压升高。从V A 升高到V E 下降的变化链，从而形成反馈环路，其表达式为

$$
V_A > V_B \rightarrow |V_{GS_P1}| > |V_{GS_P2}| \rightarrow I_3 > I_4 \rightarrow V_C > V_D \rightarrow V_E \downarrow \rightarrow |V_{GS_M0}| \uparrow \rightarrow I_S \uparrow \rightarrow V_A \downarrow \rightarrow V_A = V_B
$$

起初，当V A增加时，V A >V B。由于P1和P2的栅极电压相等， |V GS_P1| 大于 |V GS_P2| 。由于P 1 和P 2 的漏极电流满足关系I 3 > I 4 ,，电压V C >V D 。此处，V C 和V D 是电流检测放大器的输入信号。因此，当V C >V D 时，V E 将下降。在PMOS M 0 ,中，V GS 随着V E 的下降而增加。随后，I S 变大，V A 被拉低并等于V B 。此时，环路将通过V A =V B 恢复稳定性。

由R SENSE 上的电压降产生的额外电流将流经反馈晶体管M 0 到达接地。V CC 是内部电源电压，I BIAS 是偏置电流。M 1和M 2 是高压晶体管，用于承受RS+上的大输入电压。N1 和 N 2 提供偏置电流。N 3, N4,P3, P4, R7,和R8构成了CSA的核心部分。P3和P4构成差分输入对，N3和N4组成一个n型电流镜。M3是一个高压晶体管， 用于屏蔽V F的高电压。电流检测结构的详细计算在第3节中讨论。P5和R10用于检测限流。P5在正常工作时处于关断状态，但如果检测电流I S增大，R10上的电压将升高，从而导通P5, ，并将M0的栅极电平拉高至V A ，使器件关断。假设RS+两端的电压降为(ΔV R1)，RS−两端的电压降为(ΔV R2)，其值分别为V SENSE，且电路工作于稳态，即V A=V B；则可推导出以下方程：

$$
\begin{cases}
I_3 = I_4 \
I_5 = I_6
\end{cases}
$$

流入RS+和RS−的电流分别为I 1和I 2,，其表达式为

$$
\begin{cases}
I_2 = I_4 + I_6 \
I_1 = I_3 + I_5 + I_S
\end{cases}
$$

因此，V SENSE和增益可推导为

$$
\Delta V_{R1} = V_{SENSE} + \Delta V_{R2}
$$

$$
V_{SENSE} = (I_1 - I_2) \times R_1 = I_S \times R_1
$$

$$
\begin{cases}
V_{SENSE} = I_S \times R_1 \
V_{OUT} = I_S \times R_{OUT}
\end{cases}
\Rightarrow Gain = \frac{V_{OUT}}{V_{SENSE}} = \frac{R_{OUT}}{R_1}
$$

在上述方程中，ROUT通常设置为一个恒定值。通过改变内部电阻R1和R2（R1=R2），可以实现电流检测结构的不同增益。实际上，R1和R2可通过顶层金属选项实现可调。表I展示了R1/R2与电流检测电路增益之间的关系。

通过实现(5)，可推导出检测电流I S为

$$
I_{LOAD} \times R_{SENSE} = V_{SENSE} = I_S \times R_1 \Rightarrow I_S = \frac{R_{SENSE}}{R_1} \times I_{LOAD}
$$

所有晶体管和电阻的具体参数如表II和III所示。C C为1皮法。所列参数为典型值，用于验证所提出的电流检测结构的性能。

表I. 内部增益设置电阻

表II. 晶体管宽长比

表III. 电阻宽长比

3. 结构与补偿分析

在本节中，提出的电流检测电路的等效大信号图以及电流检测结构的工作原理将被详细说明[14],，如图所示

图3。然后分析等效小信号电路图，如图4所示。

在图3中，详细展示了所提出的电流检测结构的等效大信号图，包括所有电流路径。该结构可根据电流和电压变换分为五个阶段。首先，电压RS+和RS‐被转换为V C和V D（V → V）。为了最小化增益误差（GE），在P1和P2的漏极之间引入了R3和R4。V C和V D分别是差分对的正输入端和负输入端。因此，电流Ip将从V D通过R4和R3流向V C。

晶体管P1和P2不是电流镜。相反，它们用于提高 Gm，并出于匹配考虑而添加。通过添加R3和R4 ,，P1和P2的公共栅极电压即为V C 与V D的平均电压。在典型条件下， V C 与V D 之间的电压差应小于10毫伏。因此，P 1 的V GS 和V DS 分别近似等于P 2 ,的V GS 和V DS 。由于P 1 和P 2 通常处于饱和状态，[15], I 3 和I 4 可表示为

$$
I_3 \approx I_4 = \frac{K’}{2} \frac{W}{L} (V_{GS} - V_T)^2 (1 + \lambda V_{DS}), \quad 0 < V_{GS} - V_T \leq V_{DS}
$$

在(8)中，K′=μnC OX、 μn以及C OX是所用工艺技术的常数。

$$
V_{DS} = R_{ON} \cdot I_D \approx \frac{I_D}{g_m} = \frac{I_D}{\sqrt{(2K’ W/L)I_D(1 + \lambda V_{DS})}} = \sqrt{\frac{I_D}{(2K’ W/L)(1 + \lambda V_{DS})}}
$$

我D是P1和P2的漏源电流；则V DS由以下给出

$$
V_{DS} = \sqrt{\frac{(K’ W/2L)(V_{GS} - V_T)^2(1 + \lambda V_{DS})}{(2K’ W/L)(1 + \lambda V_{DS})}} = \frac{V_{GS} - V_T}{2}
$$

此处，W和L分别为MOS栅极的宽度和长度。 λ为沟道长度调制因子。VDS约等于V GS；V DS则约等于V T。I D非常小，因此可实现超低供电电流。

在第一次电压变化（V → V）之后，V C和V D是P1和P2的两个输入端子。如图3所示，第二级的作用是将电压转换为电流 （V →I）。然后，电流I 8和I 9被转换为电压V E（I → V）。接着，V E被转换为I S（V →I）。最后，I S被转换为V OUT（I → V）。

对于电流检测电路，瞬态响应的稳定性是一个重要问题[16,17]。图4显示了提出的电流检测电路的小信号等效电路图。

V in等于V C与V D之间的电压差，这意味着它也近似等于RS+与RS−之间的电压差。V 1是V E的小信号。gmI和gmII分别为第一级和第二级的跨导。实际上，gmI主要由Gm的输入差分对晶体管P3和P4 ,决定。此外，gmII由M0的跨导设定。 R I和C I分别为第一级的输出电阻和寄生电容，而 R II和 C II分别为第二级的输出电阻和寄生电容。由于图3中的R 1 和R 10 远小于 M 0 ,的等效电阻，因此图4中的R I 和R II 可表示为

$$
\begin{cases}
R_I \approx r_{ds_N3} \
R_{II} \approx R_{OUT} // r_{ds_M0}
\end{cases}
$$

此外，图4是两级放大器[18,19]的典型小信号框图。共有两个极点，然后p 1和p 2可以表示为

$$
\begin{cases}
p_1 = -\frac{1}{R_IC_I} \
p_2 = -\frac{1}{R_{II}C_{II}}
\end{cases}
$$

为了稳定传感结构，还增加了一个零点来补偿p 1和p 2。在图2中，RC和C C在RS−与RBOTTOM之间串联。在图3中，RC和CC的串联路径可以等效为M0,的栅极和源极，从而产生一个零点

$$
z_0 = \frac{1}{R_CC_C}
$$

在此方法中，通过使用RC和CC参数，至少可以补偿一个极点。电流检测结构的稳定性、相位裕度和瞬态响应从而得到保证。与其他两级放大器电路类似，补偿方法可以有所不同；在M0的栅极和漏极之间添加电容以分离两个极点也是一种可选方案。在第4节中，给出了仿真与测量结果，以验证所提出的架构的稳定性。

高精度电流检测电路的设计与评估

4. 仿真和测量结果

在本节中，我们展示了所提出电路的仿真和实验结果。提出的电流检测电路应用于一款升压型DC–DC转换器，并采用标准SILTERRA 0.35‐μm BCD工艺实现。芯片显微照片如图5所示。

芯片面积为3.68 mm²(1980μm × 1860μm)，包括所有焊盘。电流检测模块用于检测电感电流。

在图3中，I₀是由内部低压电源提供的偏置电流。较大的I₀将导致电流检测电路响应速度更快。我们将I₀设置为 1 μA，R1设置为4 kΩ。提出的电流检测电路的增益设为100 V/V。我们改变流过RSENSE的负载电流，从而可以获得V SENSE的变化。此外，我们将V BAT设为3.6 伏特。然后可以得到瞬态响应的仿真结果，如图6所示。在图6(a)中，V SENSE从10 mV变化到15 mV，因此V OUT从1 V变化到1.5 V，这是小信号脉冲响应。在图6(b)中，V SENSE从10 mV变化到30 mV，因此V OUT从1 V变化到3 V，这是大信号脉冲响应。

在完成仿真测试后，还使用示波器对芯片进行了测量，以验证所提出的结构的稳定性。V SENSE采用差分电压探头进行测量。我们设置了与仿真相同的测试环境。瞬态响应的测量结果已获得并如图7所示。在图7(a)中，V SENSE从10 mV变化到15 mV，因此V OUT从1 V变化到1.5 V，这是一个小信号脉冲响应。在图7(b)中，V SENSE从10 mV变化到30 mV，因此V OUT从1 V变化到3 V，这是一个大信号脉冲响应。

上述结果为瞬态响应性能；芯片的整体稳态性能总结于表 IV。

表IV. 电流检测电路参数

结果表明，该电流检测电路在负载变化期间具有快速响应特性。此外，检测模块的供电电流非常低。实际上，供电电流仍可进一步降低，且所提出的结构中的晶体管仍能正常工作。

结构中采用的耐高压晶体管确保了所提出的电流检测电路具有 1.6–28 伏特的输入共模范围。这一特性使得能够监测电压高达28伏特的电池输出电流。事实上，不同的实现技术还可以通过工艺电压容差来扩展电源电压范围。另外，R1不仅与电流检测电路的增益相关，还用于减小偏置电压。此外，通过使用 7毫安的检测电流限幅电路，输出端得到了输入过驱保护。

根据本文的测试结果，该电流检测电路具有高精度和快速响应的优点。电流模式电路控制技术已广泛应用于笔记本电脑、手机和其他便携式电子设备中。

关于精度，有两个非常重要的因素：输入失调电压（V_OS）和增益误差（GE）。对于提出的电流检测电路，输入失调电压为V_OS = 500μV（最大值），增益误差为0.5%（最大值）。该电路的总误差可计算为

$$
V_{OUT_err} = (Gain \pm GE) \times V_{SENSE} \pm Gain \times V_{OS}
$$

为了展示该设计的效果，关键参数在表五中进行了比较。

表五. 与其他报道技术的性能比较

在表五中，所提出的电路与传统技术进行了比较。从比较结果可以看出，本电路设计在偏置、低增益误差等方面具有良好的综合优势。

5. 结论

本文提出了一种在0.35‐μm BCD工艺中实现的高精度、低供电电流的电流感应电路。该拓扑结构可降低供电电流消耗，同时保持快速瞬态响应。仿真结果表明，所提出的电流检测结构具有可在大输入共模电压下工作的优势，并能显著保证电路的稳定性，且增益误差较低。